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1、電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)(4)——半導(dǎo)體器件2008101309:57一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分意義如下:第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2二極管、3三極管第二部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí):AN型鍺材料、BP型鍺材料、CN型硅材料、DP型硅材料。表示三極管時(shí):APNP型鍺
2、材料、BNPN型鍺材料、CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。第三部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P普通管、V微波管、W穩(wěn)壓管、C參量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、N阻尼管、U光電器件、K開關(guān)管、X低頻小功率管(F3MHzPc1W)、A高頻大功率管(f3MHzPc1W)、T半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、Y體效應(yīng)器件、B雪崩管、J階躍恢復(fù)管、CS場(chǎng)效應(yīng)管、BT半導(dǎo)體特殊器件、FH復(fù)合管、PINPIN型管、JG激光器件。第四部分:
3、用數(shù)字表示序號(hào)第五部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分,其各部分的符號(hào)意義如下:第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)J
4、EIA注冊(cè)標(biāo)志。S表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。APNP型高頻管、BPNP型低頻管、CNPN型高頻管、DNPN型低頻管、FP控制極可控硅、GN控制極可控硅、HN基極單結(jié)晶體管、JP溝道場(chǎng)效應(yīng)管、KN溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M雙向可控硅。第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。兩位以上的整數(shù)從“11”開始,表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào);不同公司
5、的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào);數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。第五部分:用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法三、美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下:第一部分:用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN軍級(jí)、JANTX特軍級(jí)、JANTXV超特軍級(jí)、JANS宇航級(jí)、(無(wú))非軍用品。第二部分:用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1二
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