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文檔簡介
1、第1章常用半導體器件常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“”和“√”表示判斷結果填入空內。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。(√)(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。()(3)PN結在無光照、無外加電壓時,結電流為零。(√)(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運動形成的。()(5)結型場效應管外加的柵一源電壓應使柵一源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其大的特點。
2、(√)GSR(6)若耗盡型N溝道MOS管的大于零,則其輸入電阻會明顯變小。()GSU二、選擇正確答案填入空內。(l)PN結加正向電壓時,空間電荷區(qū)將A。A.變窄B.基本不變C.變寬(2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在C。A.正向導通B.反向截止C.反向擊穿(3)當晶體管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結電壓和集電結電壓應為B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V時,能夠工作在恒流區(qū)的場效應管有A、C。A
3、.結型管B.增強型MOS管C.耗盡型MOS管三、寫出圖Tl.3所示各電路的輸出電壓值,設二極管導通電壓UD=0.7V。3T243310截止區(qū)T34605可變電阻區(qū)解:解:因為三只管子均有開啟電壓,所以它們均為增強型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài),如表Tl.6最后一欄所示。習題習題1.1選擇合適答案填入空內。(l)在本征半導體中加入(A)元素可形成N型半導體,加入(C)元素可形成P型半導體。A.五價B.四價C.三
4、價(2)當溫度升高時,二極管的反向飽和電流將(A)。A.增大B.不變C.減小(3)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當IB從12uA增大到22uA時,IC從lmA變?yōu)?mA,那么它的β約為(C)。A.83B.91C.100(4)當場效應管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時它的低頻跨導gm將(A)。A.增大;B.不變;C.減小1.2電路如圖P1.2所示,已知(V),試畫出與的波形。設二10siniut??iuou極管導通電壓可忽略不計。圖P
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