靜態(tài)mos存儲(chǔ)器工作原理

1、靜態(tài)ＭＯＳ存儲(chǔ)器１基本存儲(chǔ)元（1）六管靜態(tài)ＭＯＳ存儲(chǔ)元A、電路圖：由兩個(gè)ＭＯＳ反相器交叉耦合而成的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。B、存儲(chǔ)元的工作原理：假設(shè)：Ｔ0管導(dǎo)通，Ｔ1管截止：存0；Ｔ0管截至，Ｔ1管導(dǎo)通：存1；說(shuō)明：MOS管有三極，如果柵極為高電平，則源極和漏極導(dǎo)通。如果柵極為低電平，則源極和漏極截至。①寫(xiě)操作。在字線(xiàn)上加一個(gè)正電壓的字脈沖，使Ｔ2、Ｔ3管導(dǎo)通。若要寫(xiě)“０”，無(wú)論該位存儲(chǔ)元電路原存何種狀態(tài)，只需使寫(xiě)“０”的位線(xiàn)ＢＳ0電壓降為地電位

2、（加負(fù)電壓的位脈沖），經(jīng)導(dǎo)通的Ｔ2管，迫使節(jié)點(diǎn)Ａ的電位等于地電位，就能使Ｔ1管截止而Ｔ0管導(dǎo)通。寫(xiě)入１，只需使寫(xiě)１的位線(xiàn)ＢＳ1降為地電位，經(jīng)導(dǎo)通的Ｔ3管傳給節(jié)點(diǎn)Ｂ，迫使Ｔ0管截止而Ｔ1管導(dǎo)通。寫(xiě)入過(guò)程是字線(xiàn)上的字脈沖和位線(xiàn)上的位脈沖相重合的操作過(guò)程。②讀操作。只需字線(xiàn)上加高電位的字脈沖，使Ｔ2、Ｔ3管導(dǎo)通，把節(jié)點(diǎn)Ａ、Ｂ分別連到位線(xiàn)。若該位存儲(chǔ)電路原存“０”，節(jié)點(diǎn)Ａ是低電位，經(jīng)一外加負(fù)載而接在位線(xiàn)ＢＳ0上上再加一對(duì)地址選擇控制管Ｔ7、Ｔ8

3、，形成了８管ＭＯＳ存儲(chǔ)元。（3）6管雙向選擇ＭＯＳ存儲(chǔ)元８管ＭＯＳ存儲(chǔ)元改進(jìn)：在縱向一列上的６管存儲(chǔ)元共用一對(duì)Ｙ選擇控制管Ｔ6、Ｔ7，這樣存儲(chǔ)體管子增加不多，但仍是雙向地址譯碼選擇，因?yàn)閷?duì)Ｙ選擇線(xiàn)選中的一列只是一對(duì)控制管接通，只有Ｘ選擇線(xiàn)也被選中，該位才被重合選中。T5T7T3T2T0T1T8T6BS0VBS1讀寫(xiě)”0”讀寫(xiě)”1”位讀出線(xiàn)位讀出線(xiàn)Y選擇線(xiàn)X選擇線(xiàn)8管MOS存儲(chǔ)電路讀寫(xiě)”0”BAT2T5T4T0T1IOIOT7T6T3BS