半導(dǎo)體物理學(xué)簡(jiǎn)答題及答案

1、第一章1.原子中的電子和晶體中電子受勢(shì)場(chǎng)作用情況以及運(yùn)動(dòng)情況有何不同原子中內(nèi)層電子和外層電子參與共有化運(yùn)動(dòng)有何不同。答：原子中的電子是在原子核與電子庫(kù)倫相互作用勢(shì)的束縛作用下以電子云的形式存在，答：原子中的電子是在原子核與電子庫(kù)倫相互作用勢(shì)的束縛作用下以電子云的形式存在，沒(méi)有一個(gè)固定的軌道；而晶體中的電子是在整個(gè)晶體內(nèi)運(yùn)動(dòng)的共有化電子，在晶體周期性勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)。當(dāng)原子互沒(méi)有一個(gè)固定的軌道；而晶體中的電子是在整個(gè)晶體內(nèi)運(yùn)動(dòng)的共有化電子，在晶

2、體周期性勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)。當(dāng)原子互相靠近結(jié)成固體時(shí)，各個(gè)原子的內(nèi)層電子仍然組成圍繞各原子核的封閉殼層相靠近結(jié)成固體時(shí)，各個(gè)原子的內(nèi)層電子仍然組成圍繞各原子核的封閉殼層和孤立原子一樣和孤立原子一樣然而，外層價(jià)電子則然而，外層價(jià)電子則參與原子間的相互作用，應(yīng)該把它們看成是屬于整個(gè)固體的一種新的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。組成晶體原子的外層電子共有化參與原子間的相互作用，應(yīng)該把它們看成是屬于整個(gè)固體的一種新的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。組成晶體原子的外層電子共有化運(yùn)動(dòng)較強(qiáng)，其行為與自

3、由電子相似，稱(chēng)為準(zhǔn)自由電子，而內(nèi)層電子共有化運(yùn)動(dòng)較弱，其行為與孤立原子的電子相運(yùn)動(dòng)較強(qiáng)，其行為與自由電子相似，稱(chēng)為準(zhǔn)自由電子，而內(nèi)層電子共有化運(yùn)動(dòng)較弱，其行為與孤立原子的電子相似。似。2.描述半導(dǎo)體中電子運(yùn)動(dòng)為什么要引入“有效質(zhì)量“的概念用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運(yùn)動(dòng)有何局限性。答：引進(jìn)有效質(zhì)量的意義在于它概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)的作用，使得在解決半導(dǎo)體中電子在外力作用下的運(yùn)動(dòng)規(guī)答：引進(jìn)有效質(zhì)量的意義在于它概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)的作用，使

4、得在解決半導(dǎo)體中電子在外力作用下的運(yùn)動(dòng)規(guī)律時(shí)，可以不涉及半導(dǎo)體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)的作用。慣性質(zhì)量描述的是真空中的自由電子質(zhì)量，而不能描述能帶中不自由律時(shí)，可以不涉及半導(dǎo)體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)的作用。慣性質(zhì)量描述的是真空中的自由電子質(zhì)量，而不能描述能帶中不自由電子的運(yùn)動(dòng)，通常在晶體周期性勢(shì)場(chǎng)作用下的電子慣性運(yùn)動(dòng)，成為有效質(zhì)量電子的運(yùn)動(dòng)，通常在晶體周期性勢(shì)場(chǎng)作用下的電子慣性運(yùn)動(dòng)，成為有效質(zhì)量3.一般來(lái)說(shuō)對(duì)應(yīng)于高能級(jí)的能帶較寬而禁帶較窄是否如此，為什么？答：不是，

5、能級(jí)的寬窄取決于能帶的疏密程度，能級(jí)越高能帶越密，也就是越窄；而禁帶的寬窄取決于摻雜的濃答：不是，能級(jí)的寬窄取決于能帶的疏密程度，能級(jí)越高能帶越密，也就是越窄；而禁帶的寬窄取決于摻雜的濃度，摻雜濃度高，禁帶就會(huì)變窄度，摻雜濃度高，禁帶就會(huì)變窄，摻雜濃度低，禁帶就比較寬。，摻雜濃度低，禁帶就比較寬。4.有效質(zhì)量對(duì)能帶的寬度有什么影響，有人說(shuō):“有效質(zhì)量愈大能量密度也愈大因而能帶愈窄.是否如此，為什么？答：有效質(zhì)量與能量函數(shù)對(duì)于答：有效質(zhì)量

6、與能量函數(shù)對(duì)于K的二次微商成反比，對(duì)寬窄不同的各個(gè)能帶，的二次微商成反比，對(duì)寬窄不同的各個(gè)能帶，1（k）隨）隨k的變化情況不同，能帶的變化情況不同，能帶越窄，二次微商越小，有效質(zhì)量越大，內(nèi)層電子的能帶窄，有效質(zhì)量大；外層電子的能帶寬，有效質(zhì)量小。越窄，二次微商越小，有效質(zhì)量越大，內(nèi)層電子的能帶窄，有效質(zhì)量大；外層電子的能帶寬，有效質(zhì)量小。5.簡(jiǎn)述有效質(zhì)量與能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)系；答：能帶越窄，有效質(zhì)量越大，能帶越寬，有效質(zhì)量越小。答：能帶越窄，

7、有效質(zhì)量越大，能帶越寬，有效質(zhì)量越小。6.從能帶底到能帶頂晶體中電子的有效質(zhì)量將如何變化？外場(chǎng)對(duì)電子的作用效果有什么不同；答：在能帶底附近，電子的有效質(zhì)量是正值，在能帶頂附近，電子的有效質(zhì)量是負(fù)值。在外電答：在能帶底附近，電子的有效質(zhì)量是正值，在能帶頂附近，電子的有效質(zhì)量是負(fù)值。在外電F作用下，電子的作用下，電子的波失波失K不斷改變，不斷改變，f=h(dkdt)其變化率與外力成正比，因?yàn)殡娮拥乃俣扰c其變化率與外力成正比，因?yàn)殡娮拥乃俣扰c

8、k有關(guān)，既然有關(guān)，既然k狀態(tài)不斷變化，則電子狀態(tài)不斷變化，則電子的速度必然不斷變化。的速度必然不斷變化。7.以硅的本征激發(fā)為例說(shuō)明半導(dǎo)體能帶圖的物理意義及其與硅晶格結(jié)構(gòu)的聯(lián)系，為什么電子從其價(jià)鍵上掙脫出來(lái)所需的最小能量就是半導(dǎo)體的禁帶寬度答：沿不同的晶向，能量帶隙不一樣。因?yàn)殡娮右獢[答：沿不同的晶向，能量帶隙不一樣。因?yàn)殡娮右獢[脫束縛就能從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，這個(gè)時(shí)候的能量就是最小能量，也就是禁帶寬度。脫束縛就能從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，這個(gè)時(shí)候的

9、能量就是最小能量，也就是禁帶寬度。1.為什么半導(dǎo)體滿帶中的少量空狀態(tài)可以用具有正電荷和一定質(zhì)量的空穴來(lái)描述答：空穴是一個(gè)假想帶正電的粒子，在外加電場(chǎng)中，空穴在價(jià)帶中的躍遷類(lèi)比當(dāng)水池中氣泡從水池底部上升時(shí)，答：空穴是一個(gè)假想帶正電的粒子，在外加電場(chǎng)中，空穴在價(jià)帶中的躍遷類(lèi)比當(dāng)水池中氣泡從水池底部上升時(shí)，氣泡上升相當(dāng)于同體積的水隨氣泡的上升而下降。把氣泡比作空穴，下降的水比作電子，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)空穴的價(jià)帶氣泡上升相當(dāng)于同體積的水隨氣泡的上升而下

10、降。把氣泡比作空穴，下降的水比作電子，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)空穴的價(jià)帶中，能量較低的電子經(jīng)激發(fā)可以填充空穴，而填充了空穴的電子又留下了一個(gè)空穴。因此，空穴在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，中，能量較低的電子經(jīng)激發(fā)可以填充空穴，而填充了空穴的電子又留下了一個(gè)空穴。因此，空穴在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，實(shí)質(zhì)是價(jià)帶中多電子系統(tǒng)在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的另一種描述。因?yàn)槿藗儼l(fā)現(xiàn)，描述氣泡上升比描述因氣泡上升而水下降實(shí)質(zhì)是價(jià)帶中多電子系統(tǒng)在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的另一種描述。因?yàn)槿藗儼l(fā)現(xiàn)，描述氣泡上升比描述因氣泡上

11、升而水下降更為方便。所以在半導(dǎo)體的價(jià)帶中，人們的注意力集中于空穴而不是電子。更為方便。所以在半導(dǎo)體的價(jià)帶中，人們的注意力集中于空穴而不是電子。2.有兩塊硅單晶其中一塊的重量是另一塊重量的二倍.這兩塊晶體價(jià)帶中的能級(jí)數(shù)是否相等，彼此有何聯(lián)系？答：相等，沒(méi)任何關(guān)系答：相等，沒(méi)任何關(guān)系3.為什么極值附近的等能面是球面的半導(dǎo)體當(dāng)改變磁場(chǎng)方向時(shí)只能觀察到一個(gè)共振吸收峰。答：各向同性。答：各向同性。5.典型半導(dǎo)體的帶隙。一般把禁帶寬度等于或者大于一

12、般把禁帶寬度等于或者大于2.3ev的半導(dǎo)體材料歸類(lèi)為寬禁帶半導(dǎo)體，主要包括金剛石，的半導(dǎo)體材料歸類(lèi)為寬禁帶半導(dǎo)體，主要包括金剛石，SiC，GaN金剛石等。金剛石等。26族禁帶較寬，族禁帶較寬，46族的比較小，如碲化鉛，硒化鉛族的比較小，如碲化鉛，硒化鉛（0.3ev），35族的砷化鎵（族的砷化鎵（1.4ev）。第二章1.說(shuō)明雜質(zhì)能級(jí)以及電離能的物理意義。為什么受主、施主能級(jí)分別位于價(jià)帶之上或?qū)е露译婋x能的數(shù)值較小？答：被雜質(zhì)束縛的電

13、子或空穴的能量狀態(tài)稱(chēng)為雜質(zhì)能級(jí)，電子脫離雜質(zhì)的原子的束縛成為答：被雜質(zhì)束縛的電子或空穴的能量狀態(tài)稱(chēng)為雜質(zhì)能級(jí)，電子脫離雜質(zhì)的原子的束縛成為導(dǎo)電電子的過(guò)程成為雜質(zhì)電離，使這個(gè)多余的價(jià)電子掙脫束縛成為導(dǎo)電電子所需要的能量成為雜質(zhì)電離能。雜質(zhì)導(dǎo)電電子的過(guò)程成為雜質(zhì)電離，使這個(gè)多余的價(jià)電子掙脫束縛成為導(dǎo)電電子所需要的能量成為雜質(zhì)電離能。雜質(zhì)能級(jí)離價(jià)帶或?qū)Ф己芙?，所以電離能數(shù)值小。能級(jí)離價(jià)帶或?qū)Ф己芙?，所以電離能數(shù)值小。2.純鍺硅中摻入III

14、或Ⅴ族元素后為什么使半導(dǎo)體電學(xué)性能有很大的改變？雜質(zhì)半導(dǎo)體(p型或n型)應(yīng)用很廣但為什么我們很強(qiáng)調(diào)對(duì)半導(dǎo)體材料的提純答：因?yàn)閾饺氪穑阂驗(yàn)閾饺隝II或Ⅴ族后，雜質(zhì)產(chǎn)生了電離，使得到導(dǎo)帶中族后，雜質(zhì)產(chǎn)生了電離，使得到導(dǎo)帶中得電子或價(jià)帶中得空穴增多，增強(qiáng)了半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。極微量的雜質(zhì)和缺陷，能夠?qū)Π雽?dǎo)體材料的物理性質(zhì)和得電子或價(jià)帶中得空穴增多，增強(qiáng)了半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。極微量的雜質(zhì)和缺陷，能夠?qū)Π雽?dǎo)體材料的物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生決定性的影響，

15、化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生決定性的影響，，當(dāng)然，也嚴(yán)重影響著半導(dǎo)體器件的質(zhì)量，當(dāng)然，也嚴(yán)重影響著半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。4.何謂深能級(jí)雜質(zhì)，它們電離以后有什么特點(diǎn)？答：雜質(zhì)電離能大，施主能級(jí)遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底，受主能級(jí)遠(yuǎn)離價(jià)答：雜質(zhì)電離能大，施主能級(jí)遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底，受主能級(jí)遠(yuǎn)離價(jià)帶頂。特點(diǎn)：能夠產(chǎn)生多次電離，每一次電離相應(yīng)的有一個(gè)能級(jí)。帶頂。特點(diǎn)：能夠產(chǎn)生多次電離，每一次電離相應(yīng)的有一個(gè)能級(jí)。5.為什么金元素在鍺或硅中電離后可以引入多個(gè)施主或受主能級(jí)？答：因?yàn)榻鹗巧钅?/p>

16、級(jí)雜質(zhì)，能夠產(chǎn)生多次答：因?yàn)榻鹗巧钅芗?jí)雜質(zhì)，能夠產(chǎn)生多次電離，每一次電離相應(yīng)的有一個(gè)能級(jí)，因此，金在硅鍺的禁帶往往能引入若干個(gè)能級(jí)。電離，每一次電離相應(yīng)的有一個(gè)能級(jí)，因此，金在硅鍺的禁帶往往能引入若干個(gè)能級(jí)。同于一般的粒子，并且聲子不能脫離固體存在。同于一般的粒子，并且聲子不能脫離固體存在。電子在半導(dǎo)體中傳輸時(shí)若發(fā)生晶格振動(dòng)散射，則會(huì)發(fā)出或者吸收聲子，使電子動(dòng)量發(fā)生改變，電子在半導(dǎo)體中傳輸時(shí)若發(fā)生晶格振動(dòng)散射，則會(huì)發(fā)出或者吸收聲子，使電

17、子動(dòng)量發(fā)生改變，從而影響到電導(dǎo)率。從而影響到電導(dǎo)率。5.平均自由程，平均自由時(shí)間，散射幾率平均自由程：電子在受到兩次散射之間所走過(guò)的平均距離；平均自由時(shí)間：電子在受到兩次散射之間運(yùn)動(dòng)的平均平均自由程：電子在受到兩次散射之間所走過(guò)的平均距離；平均自由時(shí)間：電子在受到兩次散射之間運(yùn)動(dòng)的平均時(shí)間；散射幾率時(shí)間；散射幾率:用來(lái)描述散射的強(qiáng)弱，代表單位時(shí)間內(nèi)一個(gè)載流子受到散射的用來(lái)描述散射的強(qiáng)弱，代表單位時(shí)間內(nèi)一個(gè)載流子受到散射的次數(shù)。次數(shù)。6.

18、幾種散射機(jī)制同時(shí)存在，總的散射幾率總散射概率等于多種散射概率之和?？偵⑸涓怕实扔诙喾N散射概率之和。7.一塊本征半導(dǎo)體樣品試描述用以增加其電導(dǎo)率的兩個(gè)物理過(guò)程。提高遷移率和和提高本征載流子濃度提高遷移率和和提高本征載流子濃度8.如果有相同的電阻率的摻雜鍺和硅半導(dǎo)體問(wèn)哪一個(gè)材料的少子濃度高，為什么？鍺的少子濃度高。由電阻率鍺的少子濃度高。由電阻率=1nqu和（和（ni）2=n0p0以及硅和鍺本征載流子濃度的數(shù)量級(jí)差別，可以算出鍺的少子濃度高

19、。以及硅和鍺本征載流子濃度的數(shù)量級(jí)差別，可以算出鍺的少子濃度高。10.光學(xué)波散射和聲學(xué)波散射的物理機(jī)構(gòu)有何區(qū)別？各在什么樣晶體中起主要作用？光學(xué)波散射：彈性散射，散射前后電子能量基本不變。主要在離子性晶體中起作用光學(xué)波散射：彈性散射，散射前后電子能量基本不變。主要在離子性晶體中起作用聲學(xué)波散射：非彈性散射，散射前后電子能量發(fā)生改變。主要在共價(jià)性晶體中起作用。聲學(xué)波散射：非彈性散射，散射前后電子能量發(fā)生改變。主要在共價(jià)性晶體中起作用。11

20、.說(shuō)明本征鍺和硅中載流子遷移率隨溫度增加如何變化？遷移率隨溫度的升高逐漸降低遷移率隨溫度的升高逐漸降低12.電導(dǎo)有效質(zhì)量和狀態(tài)密度有效質(zhì)量有何區(qū)別？它們與電子的縱向有效質(zhì)量和橫向有效質(zhì)量的關(guān)系如何？當(dāng)導(dǎo)帶底的等能面不是球面時(shí)，不同方向的電導(dǎo)的有效質(zhì)量就不同，且態(tài)密度分布可能不同，通過(guò)把不同的電導(dǎo)當(dāng)導(dǎo)帶底的等能面不是球面時(shí)，不同方向的電導(dǎo)的有效質(zhì)量就不同，且態(tài)密度分布可能不同，通過(guò)把不同的電導(dǎo)有效質(zhì)量進(jìn)行加權(quán)平均，就可以換算得到狀態(tài)密度的

21、有效質(zhì)量。有效質(zhì)量進(jìn)行加權(quán)平均，就可以換算得到狀態(tài)密度的有效質(zhì)量。13.對(duì)于僅含一種雜質(zhì)的鍺樣品如果要確定載流子符號(hào)、濃度、遷移率和有效質(zhì)量，應(yīng)進(jìn)行哪些測(cè)量？進(jìn)行霍爾系數(shù)測(cè)量和回旋共振法測(cè)有效質(zhì)量。進(jìn)行霍爾系數(shù)測(cè)量和回旋共振法測(cè)有效質(zhì)量。14.解釋多能谷散射如何影響材料的導(dǎo)電性。多能谷之間有效質(zhì)量不同導(dǎo)致遷移率不同，當(dāng)電子從一能谷躍遷到另一能谷時(shí)，遷移率會(huì)減低，導(dǎo)致導(dǎo)電性降低。多能谷之間有效質(zhì)量不同導(dǎo)致遷移率不同，當(dāng)電子從一能谷躍遷到另

22、一能谷時(shí)，遷移率會(huì)減低，導(dǎo)致導(dǎo)電性降低。15.解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？耿氏振蕩來(lái)源于半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)微分電導(dǎo)，振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長(zhǎng)度。耿氏振蕩來(lái)源于半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)微分電導(dǎo)，振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長(zhǎng)度。16.半導(dǎo)體本征吸收與本征光電導(dǎo)本征吸收：半導(dǎo)體吸收光子能量大于帶隙的光子，使電子直接躍遷到導(dǎo)帶。本征吸收：半導(dǎo)體吸收光子能量大于帶隙的光子，使電子直接躍遷到導(dǎo)帶。又本征吸收產(chǎn)生的非平衡載流子的增加使半導(dǎo)體電

23、導(dǎo)率增加。又本征吸收產(chǎn)生的非平衡載流子的增加使半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加。17.光電導(dǎo)靈敏度與光電導(dǎo)增益因子光電導(dǎo)靈敏度：?jiǎn)挝还庹斩人鸬墓怆妼?dǎo)光電導(dǎo)靈敏度：?jiǎn)挝还庹斩人鸬墓怆妼?dǎo)增益因子：銅一種材料由于結(jié)構(gòu)不同，可以產(chǎn)生不同的光電導(dǎo)效果，用增益因子來(lái)表示光電導(dǎo)的增強(qiáng)。增益因子：銅一種材料由于結(jié)構(gòu)不同，可以產(chǎn)生不同的光電導(dǎo)效果，用增益因子來(lái)表示光電導(dǎo)的增強(qiáng)。第五章1.區(qū)別半導(dǎo)體平衡狀態(tài)和非平衡狀態(tài)有何不同？什么叫非平衡載流子？什么叫非平衡載流

24、子的穩(wěn)定分布半導(dǎo)體半導(dǎo)體的熱平衡狀態(tài)是相對(duì)的，有條件的。如果對(duì)半導(dǎo)體施加外界作用，破壞了熱平衡條件，這就迫使它處于與熱平衡的熱平衡狀態(tài)是相對(duì)的，有條件的。如果對(duì)半導(dǎo)體施加外界作用，破壞了熱平衡條件，這就迫使它處于與熱平衡狀態(tài)相偏離的狀態(tài)，稱(chēng)為非平衡狀態(tài)。處于非平衡態(tài)的半導(dǎo)體比平衡態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱(chēng)為非平衡載流子。狀態(tài)相偏離的狀態(tài)，稱(chēng)為非平衡狀態(tài)。處于非平衡態(tài)的半導(dǎo)體比平衡態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱(chēng)為非平衡載流子。2.摻雜、改變溫度和

25、光照激發(fā)均能改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，它們之間有何區(qū)別？試從物理模型上予以說(shuō)明。摻雜：增加濃度，溫度：增加本征載流子摻雜：增加濃度，溫度：增加本征載流子光照：產(chǎn)生非平衡載流子，增加載流子數(shù)目光照：產(chǎn)生非平衡載流子，增加載流子數(shù)目4.為什么不能用費(fèi)米能級(jí)作為非平衡載流子濃度的標(biāo)準(zhǔn)而要引入準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)？費(fèi)米能級(jí)和準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)有何區(qū)別？當(dāng)熱平衡狀態(tài)受到外界影響，遭到破壞當(dāng)熱平衡狀態(tài)受到外界影響，遭到破壞使半導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài)使半導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài)不再存

26、在統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)不再存在統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)因?yàn)橘M(fèi)米能級(jí)和統(tǒng)計(jì)因?yàn)橘M(fèi)米能級(jí)和統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)都是指熱平衡狀態(tài)下。而分別就價(jià)帶和導(dǎo)帶中的電子來(lái)說(shuō)分布函數(shù)都是指熱平衡狀態(tài)下。而分別就價(jià)帶和導(dǎo)帶中的電子來(lái)說(shuō)它們各自基本上處于平衡狀態(tài)它們各自基本上處于平衡狀態(tài)導(dǎo)帶和價(jià)帶之間導(dǎo)帶和價(jià)帶之間處于不平衡狀態(tài)，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)是不重合的。處于不平衡狀態(tài)，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)是不重合的。5.在穩(wěn)定不變的光照下，半導(dǎo)體中電子和空穴濃度也是保持恒定不變的，但為什么說(shuō)半導(dǎo)體處于非平衡狀

27、態(tài)？光照是外部條件，光照是外部條件，6.說(shuō)明直接復(fù)合、間接復(fù)合的物理意義。直接：電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的直接躍遷而引起的電子和空穴的復(fù)合消失過(guò)程直接：電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的直接躍遷而引起的電子和空穴的復(fù)合消失過(guò)程間接復(fù)合：電子空穴通過(guò)禁帶中的能級(jí)復(fù)合；間接復(fù)合：電子空穴通過(guò)禁帶中的能級(jí)復(fù)合；7.區(qū)別:復(fù)合效應(yīng)和陷阱效應(yīng)，復(fù)合中心和陷阱中心，俘獲和復(fù)合，俘獲截面和俘獲幾率。復(fù)合效應(yīng)：復(fù)合效應(yīng)：陷阱效應(yīng)：積累非平衡載流子的作用。相應(yīng)的雜質(zhì)和缺