國家科學技術獎提名公示內容

1、國家科學技術獎提名公示內容（2019年度）項目名稱項目名稱微型半導體發(fā)光器件跨尺度光功能結構設計與制造關鍵技術微型半導體發(fā)光器件跨尺度光功能結構設計與制造關鍵技術1.華南理工大學（對項目創(chuàng)新點1，2，3，4都做出了突出貢獻，組織完成單位聯(lián)合開展技術創(chuàng)新工作并協(xié)助各單位開展科技成果轉化）2.佛山市國星光電股份有限公司（對項目創(chuàng)新點2，3，4做出了重要貢獻，推動項目成果在高品質照明、背光及新型顯示產品大規(guī)模應用）3.三安光電股份有限公司（對

2、項目創(chuàng)新點1，4做出了重要貢獻，推動項目成果在高品質照明、顯示芯片產品的大規(guī)模應用）4.鴻利智匯集團股份有限公司（對項目創(chuàng)新點1，2，4做出了重要貢獻，推動項目成果在高品質照明、背光及新型白光產品的大規(guī)模應用）主要主要完成完成單位單位及創(chuàng)及創(chuàng)新推新推廣貢廣貢獻5.中國電子技術標準化研究院（對項目創(chuàng)新點1，2，3做出了重要貢獻，組織制定半導體發(fā)光芯片、器件技術標準規(guī)范）1.湯勇（副院長、教授、華南理工大學、華南理工大學、對項目創(chuàng)新點1，2

3、，3，4都做出了突破性貢獻）2.李宗濤（無、副教授、華南理工大學、華南理工大學、對項目創(chuàng)新點1，2，3做出了創(chuàng)新性貢獻）3.張潔（副總經理、高級工程師、三安光電股份有限公司、三安光電股份有限公司、對項目創(chuàng)新點1，4做出了創(chuàng)新性貢獻）4.劉傳標（事業(yè)部副總經理，高級工程師、佛山市國星光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、對項目創(chuàng)新點2，3做出了創(chuàng)新性貢獻）5.丁鑫銳（無、副教授，華南理工大學、華南理工大學、對項目創(chuàng)新點1，4做出了

4、創(chuàng)新性貢獻）主要完成人主要完成人（行政職（行政職務、技術職務、技術職稱、工作單稱、工作單位、完成單位、完成單位、對本項位、對本項目貢獻）目貢獻）6.王躍飛（副經理、工程師、鴻利智匯集團股份有限公司、鴻利智匯集團股份有限公司、對項目創(chuàng)新點1，2做出了創(chuàng)新性貢獻）項目項目簡介簡介半導體發(fā)光器件光功能結構是指器件從內到外具有的強化出光、光譜精度與能量調控功能結構，其制造過程屬機械科學與技術領域。半導體發(fā)光（LED）在照明領域產生的顛覆性變革，

5、引起世界半導體產業(yè)經濟新一輪跨越發(fā)展，與此同時，附加值高且市場巨大的LED顯示，尤其是可實現(xiàn)作戰(zhàn)指揮超清顯示以及戰(zhàn)場電磁靜默的光通信技術也發(fā)展迅速。中國半導體發(fā)光器件封裝規(guī)模迅速躍升至世界第一（約占全球50%），且影響到國家經濟與戰(zhàn)略安全，直接導致關鍵的器件光色性能及微型化技術成為全球競爭焦點，其核心技術挑戰(zhàn)是：跨尺度強化出光結構、光譜精度與能量調控結構規(guī)?；圃旒拔⑿突骷咝Х庋b制造，項目組經多年研究，取得系列引領產業(yè)發(fā)展的原創(chuàng)性成

6、果：（1）突破傳統(tǒng)單一尺度結構強化出光模式，發(fā)明跨尺度強化出光結構協(xié)同制造新方法。在芯片藍寶石、發(fā)光層及封裝襯底等表面，通過主動控制結構光刻磨切工藝參數(shù)及襯底剝離轉印技術，實現(xiàn)幾何結構表面波長級錐狀結構粗糙形貌協(xié)同生成，根本解決跨尺度結構耦合作用下強化出光結構規(guī)?；圃焓澜缧噪y題。開發(fā)的功率器件（199.76lmW）光效指標超過美國科銳同類產品32.29%，也超過日本可見光通信納衛(wèi)星采用的日本日亞器件。（2）發(fā)明光譜精度與能量調控結構的

7、可控制造新方法。提出“吸收激發(fā)密度調節(jié)”結構光譜調控新原理，采用多能量場實現(xiàn)波長級功能粒子結構形狀三維空間定位制造，通過功能粒子吸收激發(fā)密度調節(jié)提升全方位光譜精度（包括去除光譜雜散光），調控后器件空間顏色偏差縮小至100K內（傳統(tǒng)技術＞1000K），打破僅能通過稀土材料調控光譜精度的經典認識；開發(fā)出自由曲面陣列透鏡跨尺度結構三維微縮復形制造技術，實現(xiàn)光譜能量的空間精確分布。（3）突破半導體發(fā)光器件微型化及封裝效率瓶頸，首次開發(fā)出微型薄膜

8、過渡襯底器件及半固化平面模壓高效封裝技術與成套裝備。發(fā)明的薄膜陶瓷過渡襯底CSP倒裝技術屬全球三大主流方案之一，也是唯一由中國提出且量產的技術。所開發(fā)CSP倒裝器件（1.01.0mm）以及RGB顯示器件（0.50.5mm）特征尺寸指標超過韓國三星及美國CREE同類產品29.58%及50%，其中RGB持續(xù)保持世界最小可量產顯示器件記錄。（4）提出半導體發(fā)光器件跨尺度光功能結構光色矢量設計新方法。發(fā)現(xiàn)了跨尺度結構光功能屬性耦合對半導體發(fā)光器