cog腐蝕的產(chǎn)生原因

1、引言在液晶顯示行業(yè)即LCD和LCM行業(yè)，COG工藝過程及產(chǎn)品經(jīng)常會(huì)有腐蝕現(xiàn)象發(fā)生，也有許多工廠稱之為電刻蝕。據(jù)調(diào)查，無論國(guó)內(nèi)還是國(guó)外LCD行業(yè)都有不同程度的腐蝕現(xiàn)象存在，因?yàn)楦g問題，許多工廠損失巨大，單一生產(chǎn)COG產(chǎn)品的國(guó)外工廠出現(xiàn)腐蝕問題后損失可達(dá)百萬人民幣，同時(shí)此種現(xiàn)象不受控，工廠生產(chǎn)時(shí)有時(shí)一粒也不出，但有時(shí)比例高達(dá)100％。如果對(duì)COGLCD做高溫高壓實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)條件60℃，90％RH，腐蝕現(xiàn)象會(huì)更加明顯且容易出現(xiàn)，從而利用這一實(shí)

2、驗(yàn)條件可以對(duì)控制的效果進(jìn)行評(píng)估和驗(yàn)證。一、物質(zhì)產(chǎn)生腐蝕的原因有哪些呢？腐蝕是工業(yè)上普遍存在的一種缺陷，尤其是在管道，建筑等等方面，COG類LCD電極腐蝕也屬于這一范疇，根據(jù)腐蝕的理論，腐蝕的原因主要有以下幾個(gè)方面：1、電化學(xué)腐蝕金屬材料與電解質(zhì)溶液接觸，通過電極反應(yīng)產(chǎn)生的腐蝕。電化學(xué)腐蝕反應(yīng)是一種氧化還原反應(yīng)。在反應(yīng)中，金屬失去電子而被氧化，其反應(yīng)過程稱為陽極反應(yīng)過程，反應(yīng)產(chǎn)物是進(jìn)入介質(zhì)中的金屬離子或覆蓋在金屬表面上的金屬氧化物（或金屬

3、難溶鹽）；介質(zhì)中的物質(zhì)從金屬表面獲得電子而被還原，其反應(yīng)過程稱為陰極反應(yīng)過程。在陰極反應(yīng)過程中，獲得電子而被還原的物質(zhì)習(xí)慣上稱為去極化劑。在均勻腐蝕時(shí)，金屬表面上各處進(jìn)行陽極反應(yīng)和陰極反應(yīng)的概率沒有顯著差別，進(jìn)行兩種反應(yīng)的表面位置不斷地隨機(jī)變動(dòng)。如果金屬表面有某些區(qū)域主要進(jìn)行陽極反應(yīng)，其余表面區(qū)域主要進(jìn)行陰極反應(yīng)，則稱前者為陽極區(qū)，后者為陰極區(qū)，陽極區(qū)和陰極區(qū)組成了腐蝕電池。直接造成金屬材料破壞的是陽極反應(yīng)，故常采用外接電源或用導(dǎo)線將被

4、保護(hù)金屬與另一塊電極電位較低的金屬相聯(lián)接，以使腐蝕發(fā)生在電位較低的金屬上。2、吸氧腐蝕金屬在酸性很弱或中性溶液里，空氣里的氧氣溶解于金屬表面水膜中而發(fā)生的電化腐蝕，叫吸氧腐蝕。例如鋼鐵在接近中性的潮溼的空氣中腐蝕屬于吸氧腐蝕，其電極反應(yīng)如下：負(fù)極（Fe）：Fe2e=Fe2正極（C）：2H2OO24e=4OH鋼鐵等金屬的電化腐蝕主要是吸氧腐蝕。3、析氫腐蝕在酸性較強(qiáng)的溶液中發(fā)生電化腐蝕時(shí)放出氫氣，這種腐蝕叫做析氫腐蝕。在鋼鐵制品中一般都含

5、有碳。在潮溼空氣中，鋼鐵表面會(huì)吸附水汽而形成一層薄薄的水膜。水膜中溶有二氧化碳后就變成一種電解質(zhì)溶液，使水里的H增多。是就構(gòu)成無數(shù)個(gè)以鐵為負(fù)極、碳為正極、酸性水膜為電解質(zhì)溶液的微小原電池。這些原電池里發(fā)生的氧化還原反應(yīng)是負(fù)極三、COG腐蝕的產(chǎn)生原因歸類：1、COM電極腐蝕：屬于電化學(xué)腐蝕和應(yīng)力腐蝕，電化學(xué)腐蝕是由于不同金屬具有不同的電化學(xué)電位，或者是同樣的材料但其電位存在勢(shì)差，而每個(gè)COM電極間存電勢(shì)差。由于COM電極在LCD制程中需要

6、進(jìn)行切割作業(yè)，切割過程中如果遇到刀痕破壞COM電極造成裂紋，產(chǎn)生應(yīng)力，在出現(xiàn)腐蝕的環(huán)境中就會(huì)出現(xiàn)COM電極腐蝕。2、ACF下腐蝕：電化學(xué)腐蝕和間隙腐蝕，除了電化學(xué)腐蝕外，間隙腐蝕是發(fā)生于間隙及有停滯溶液之遮蔽表面處的局部電化學(xué)腐蝕。若要產(chǎn)生間隙腐蝕，必須有一個(gè)間隙其寬度足夠讓液體進(jìn)入，但卻也可使液體停滯不流出，ACF與ITO接觸的位置形成間隙，存有液體等污染離子后加電產(chǎn)生腐蝕。3、夾縫腐蝕：玻璃夾縫未清洗干凈，留有水份，間隙腐蝕，電化學(xué)

7、腐蝕。4、ITO電極表面腐蝕：點(diǎn)腐蝕，ITO表面存在污染物造成加電過程中存在電化學(xué)腐蝕。根據(jù)以上的分析，按照腐蝕方面的理論，COG腐蝕只是按產(chǎn)生腐蝕的不同側(cè)面做了分類，但其基本均屬于電化學(xué)腐蝕，其發(fā)生時(shí)腐蝕基本條件有：溶液，加電，污染，應(yīng)力。對(duì)于COG的工藝控制來說，如果沒有將ITO上的臟物清理干凈，或者是某種溶液存在于電極處，或者LCD制程中造成COG電極損傷，將會(huì)造成LCD加電顯示或一段時(shí)間后COG電極腐蝕。四根據(jù)腐蝕原因的控制措施

8、及實(shí)驗(yàn)分析根據(jù)以上分析，制定如下控制措施，并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，實(shí)驗(yàn)條件可以參照LCD可靠性實(shí)驗(yàn)條件執(zhí)行，實(shí)驗(yàn)條件可參照《》，可以加速LCD腐蝕現(xiàn)象的出現(xiàn)。1、COM電極腐蝕：屬于電化學(xué)腐蝕和應(yīng)力腐蝕，由于應(yīng)力的作用存在。所以針對(duì)應(yīng)力的存在進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn)：1）刀痕壓力控制在0.2kgfmm22）刀痕壓力控制在0.1kgfmm2在切割產(chǎn)品時(shí)進(jìn)行控制如下：將刀痕的壓力控制在0.1kgfmm2以下。2、ACF下腐蝕：電化學(xué)腐蝕和間隙腐蝕，主要是ACF

9、與ITO接觸的位置形成了間隙，規(guī)范ACF的使用寬度，使之控制間隙進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。1)ACF寬度大于IC1mm.2)ACF寬度大于IC2mm。3、夾縫腐蝕：間隙腐蝕，電化學(xué)腐蝕。這種原因主要是LCD存在縫隙，縫隙記憶體有殘存的液體，在加電過程中造成電化學(xué)腐蝕，因此實(shí)驗(yàn)主要是1)、LCD清洗后直接壓COG2)、LCD清洗后用烘箱烘干再COG4、ITO電極表面腐蝕：點(diǎn)腐蝕，ITO表面存在污染物造成加電過程中存在電化學(xué)腐蝕，這種現(xiàn)象主要是COG的IT