2018華南理工大學(xué)考研真題之846_電介質(zhì)物理學(xué)

1、846華南理工大學(xué)2018年攻讀碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試試卷（試卷上做答無效，請(qǐng)?jiān)诖痤}紙上做答，試后本卷必須與答題紙一同交回）科目名稱：電介質(zhì)物理學(xué)適用專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)共2頁第1頁一、填空題（50分，每空2分）1、在外電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)內(nèi)部沿電場(chǎng)方向感應(yīng)出偶極矩的現(xiàn)象，稱為。位于電介質(zhì)表面不能自由移動(dòng)的極化電荷稱為；位于金屬極板上能自由移動(dòng)離開極板的電荷稱為。2、點(diǎn)電荷是帶電體的理想模型。在實(shí)際情況下，只有當(dāng)帶電體的時(shí)，才可以把

2、帶電體當(dāng)做點(diǎn)電荷。3、堿鹵晶體是結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的離子晶體，其主要極化形式只有和。4、電介質(zhì)的電導(dǎo)率可表示為：。提高電介質(zhì)絕緣性能的途徑有：（1）；（2）。5、氣體電介質(zhì)自持放電的條件為：。提高氣體電介質(zhì)擊穿電壓的途徑有：（1）；（2）。6、材料的擊穿電壓值與電場(chǎng)的均勻性有關(guān)，在非均勻電場(chǎng)中的擊穿電壓（高于或低于）均勻電場(chǎng)中的擊穿電壓。7、根據(jù)電介質(zhì)的絕緣性能破壞的原因，電介質(zhì)的擊穿形式有、、。8、居里——外斯定律可表示為：。9、離子晶體中，

3、考慮本征電導(dǎo)和弱系離子電導(dǎo)時(shí)，電導(dǎo)率γ隨溫度變化的關(guān)系式可以寫成：。10、克勞修斯——莫索締方程可表示為：。第2頁11、電介質(zhì)的表面電導(dǎo)不僅與電介質(zhì)本身的性質(zhì)有關(guān)，而且與、等有關(guān)。12、按相轉(zhuǎn)變的微觀結(jié)構(gòu)分類可以將鐵電晶體分成兩大類：、。13、按照固體電擊穿理論，當(dāng)單位時(shí)間內(nèi)電子獲得的能量速率與消耗的能量速率相等時(shí)，達(dá)到平衡狀態(tài)，此時(shí)A(EkE)=B(EkT)。如果升高使上述平衡狀態(tài)被破壞時(shí)，過程立即發(fā)生。二、簡(jiǎn)答題（70分）1、什么是

4、瞬間極化、緩慢式極化？請(qǐng)舉例說明。（10分）2、給出KM方程賴以成立的條件及其應(yīng)用范圍？（8分）3、闡述產(chǎn)生電介質(zhì)損耗的來源，物理過程以及隨頻率變化的規(guī)律？（10分）4、氣體電介質(zhì)的電流密度隨電場(chǎng)強(qiáng)度的變化曲線，分為哪些階段？試分析各階段的特征及原因。（12分）5、固體電介質(zhì)的熱擊穿原因是什么？固體電介質(zhì)的熱擊穿電壓與哪些因素有關(guān)？關(guān)系如何？如何提高固體電介質(zhì)的熱擊穿電壓（15分）6、為什么靜態(tài)下無法測(cè)量自發(fā)極化？什么是晶體的熱釋電性？

5、熱釋電晶體和鐵電晶體的區(qū)別是什么？（15分）三、綜合題（30分）備用參數(shù)：真空介電系數(shù)?0=8.851012Fm；阿伏加德羅常數(shù)N0=6.02310231、已知聚苯乙烯的介電常數(shù)?=2.5，線膨脹系數(shù)?l=104oC，求金屬化聚苯乙烯薄膜電容器的電容溫度系數(shù)。（13分）2、試求出在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下He的相對(duì)介電系數(shù)。（已知He的極化率為?e=0.221040法米2）（5分）3、分別畫出線性無損耗電介質(zhì)、線性有損耗電介質(zhì)、非線性無損耗電介質(zhì)以及