太陽電池用晶體硅的表面鈍化研究.pdf

1、光伏發(fā)電技術是解決能源危機的有效途徑之一。晶體硅太陽電池占整個市場份額的80％左右。高效晶體硅太陽電池的研制以及晶體硅太陽電池的薄片化，使太陽電池用晶體硅的表面鈍化變得十分關鍵。
　　 本文首先提出針對MIIS結構中，晶體硅表面電學性質的高頻電容研究方法。在此基礎上，對PE-CVD生長的原生氮化硅薄膜的鈍化性質及薄膜在快速熱處理過程中的熱穩(wěn)定性進行了研究。原生氮化硅薄膜可降低載流子的表面復合。600℃下快速熱處理，晶體硅表面的少

2、子壽命先升后降。700℃下快速熱處理，氮化硅鈍化膜的熱穩(wěn)定性大幅下降。薄膜的電子俘獲能力隨熱處理溫度的升高和熱處理時間的增加而下降。相應的薄膜中K+中心數(shù)量減少。
　　 ALD-Al2O3在550℃熱處理30秒后，晶體硅表面的少子壽命達最大值。薄膜與晶體硅界面處的氧化層厚度增加，降低了界面態(tài)密度。此外，隨熱處理溫度的提高，界面電荷由正變負再變正。隨熱處理時間的延長，界面負電荷面密度先增后減。熱處理溫度越高，開始衰減所需時間越短。