天津工業(yè)大學2019年碩士研究生招生復試筆試科目 半導體物理

1、天津工業(yè)大學碩士研究生入學考試業(yè)務課考試大綱天津工業(yè)大學碩士研究生入學考試業(yè)務課考試大綱科目編號：0502科目名稱：半導體物理一、考試的總體要求一、考試的總體要求半導體物理為微電子學與固體電子學專業(yè)基礎課，考試總分為100分。半導體物理要求學生熟練掌握半導體物理的基本理論、基本概念和方法，為進一步學習半導體器件理論研究、器件制備、工藝和器件仿真，和集成電路設計等研究方向打下基礎。二、考試的內容及比例二、考試的內容及比例考試內容如下：（總

2、計100分）1、半導體的晶體結構：半導體能帶結構、半導體有效質量、空穴、雜質能級；2、半導體載流子的統(tǒng)計分布：包括熱平衡狀態(tài)下半導體載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體和雜質半導體的載流子濃度，簡并半導體和重摻雜效應；3、半導體的導電性：載流子的漂移運動、遷移率、散射、強電場效應、熱載流子的概念半導體電阻率與溫度、雜質濃度的關系；4、非平衡載流子：非平衡載流子的產生、復合、壽命、擴散長度、準費米能級，愛因斯坦關系，一維穩(wěn)定擴散，光激發(fā)載流子衰減

3、；5、pn結：平衡與非平衡pn結特點及其能帶圖，pn結理想和非理想IV特性，pn結電容概念與擊穿機制，pn結隧道效應、肖特基勢壘二極管；6、半導體金－半接觸：功函數(shù)、親和勢，阻擋層及反阻擋層，整流接觸，歐姆接觸；7、半導體MOS結構：表面電場效應，平帶電壓，理想與實際MOS結構CV特性，MOS系統(tǒng)的性質（固定電荷、可動離子、界面態(tài)對CV特性的影響），表面電場對pn結特性的影響；8、半導體異質結：異質結概念及基本異質結的能帶圖；9、半導體

4、光學性質：半導體光吸收，半導體光電探測器半導體太陽電池，半導體發(fā)光概念與應用，半導體激光與應用；10、半導體霍爾效應、半導體壓阻效應、半導體熱電效應及其應用。三、試卷的題型及比例三、試卷的題型及比例考試題型包括名詞解釋(25分)、簡答題（40分）、綜合題（35分）。四、考試形式及時間四、考試形式及時間考試形式為筆試，時間為100分鐘。五、主要參考教材五、主要參考教材1劉恩科等編，《半導體物理學》第七版，電子工業(yè)出版社2曹培棟編著，《微電

5、子技術基礎雙極、場效應晶體管原理》，電子工業(yè)出版社天津工業(yè)大學碩士研究生入學考試業(yè)務課考試大綱天津工業(yè)大學碩士研究生入學考試業(yè)務課考試大綱科目編號：0502科目名稱：半導體物理一、考試的總體要求一、考試的總體要求半導體物理為微電子學與固體電子學專業(yè)基礎課，考試總分為100分。半導體物理要求學生熟練掌握半導體物理的基本理論、基本概念和方法，為進一步學習半導體器件理論研究、器件制備、工藝和器件仿真，和集成電路設計等研究方向打下基礎。二、考試

6、的內容及比例二、考試的內容及比例考試內容如下：（總計100分）1、半導體的晶體結構：半導體能帶結構、半導體有效質量、空穴、雜質能級；2、半導體載流子的統(tǒng)計分布：包括熱平衡狀態(tài)下半導體載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體和雜質半導體的載流子濃度，簡并半導體和重摻雜效應；3、半導體的導電性：載流子的漂移運動、遷移率、散射、強電場效應、熱載流子的概念半導體電阻率與溫度、雜質濃度的關系；4、非平衡載流子：非平衡載流子的產生、復合、壽命、擴散長度、準費米

7、能級，愛因斯坦關系，一維穩(wěn)定擴散，光激發(fā)載流子衰減；5、pn結：平衡與非平衡pn結特點及其能帶圖，pn結理想和非理想IV特性，pn結電容概念與擊穿機制，pn結隧道效應、肖特基勢壘二極管；6、半導體金－半接觸：功函數(shù)、親和勢，阻擋層及反阻擋層，整流接觸，歐姆接觸；7、半導體MOS結構：表面電場效應，平帶電壓，理想與實際MOS結構CV特性，MOS系統(tǒng)的性質（固定電荷、可動離子、界面態(tài)對CV特性的影響），表面電場對pn結特性的影響；8、半導體

8、異質結：異質結概念及基本異質結的能帶圖；9、半導體光學性質：半導體光吸收，半導體光電探測器半導體太陽電池，半導體發(fā)光概念與應用，半導體激光與應用；10、半導體霍爾效應、半導體壓阻效應、半導體熱電效應及其應用。三、試卷的題型及比例三、試卷的題型及比例考試題型包括名詞解釋(25分)、簡答題（40分）、綜合題（35分）。四、考試形式及時間四、考試形式及時間考試形式為筆試，時間為100分鐘。五、主要參考教材五、主要參考教材1劉恩科等編，《半導體