gjb 1420a-1999 半導體集成電路外殼總規(guī)范

1、中華人民共和國國家軍用標準半導體集成電路外殼總規(guī)范GJB1420A99代替GJB142092GeneralSpecificationforpackagesofsemiconductorintegratedcircuits1范圍11主題內容本規(guī)范規(guī)定了軍用半導體集成電路外殼以下簡稱外殼生產和交付的一般要求以用外殼必須滿足的質量和可靠性保證要求12適用范圍本規(guī)范適用于半導體集成電路用的各類陶瓷和金屬底座或蓋板本規(guī)范中的外殼在不產生混淆時通常

2、指底座13分類外殼應按GBT709293半導體集成電路外形尺寸的規(guī)定按所采用的材料及結構型式分類a.陶瓷雙列外殼D型b.陶瓷扁平外殼F型c.陶瓷四面引線扁平外殼Q型d.陶瓷無引線片式載體C型e.陶瓷針柵陣列外殼G型f.陶瓷熔封雙列外殼J型g.陶瓷熔封扁平外殼H型h.陶瓷圓形外殼T型2引用文件GBn9787鐵鎳鈷玻封合金4J29和4J44技術條件GBn10387鐵鎳鉻鐵鎳封接合金技術條件GBT180492一般公差線性尺寸的未注公差GBT1

3、1841996形狀和位置公差未注公差值GB406983電子陶瓷零件公差GBT709293半導體集成電路外形尺寸GB917888集成電路術語GBT1411393半導體集成電路封裝術語GBT165261996封裝引線間電容和引線負載電容測試方法GJB179A96計數抽樣檢驗程序及表GJB360A96電子及電氣元件試驗方法GJB546A96電子元器件質量保證大綱GJB548A96微電子器件試驗方法和程序GJB211894軍用電氣和電子元器件的

4、標志GJB271296測量設備的質量保證要求計量確認體系的外殼零件上3.4.3.2鍍金鍍金工藝中所用金的純度應不低于99.7且只能用鈷作為硬化劑鍍金層厚度應為1.35.7m鍍金工藝可在電鍍鎳層或化學鍍鎳層上進行3.4.3.3多層金和鎳鍍覆結構對引線和引出端外的外殼零件可采用多層金和鎳鍍覆結構在該結構中外層金層厚度不得小于0.64m金層總厚度不得小于1.3m底層鎳層厚度應滿足3.4.3.1中規(guī)定的厚度要求而總鎳層厚度不大于11.43m在該

5、結構中允許在基底金屬上鍍鎳或鍍金3.4.3.4鍍層厚度測量鍍層厚度應按SJ20129的規(guī)定進行測量測量時應避免選取引線上非典型部位對于表面安裝引線如J形或翼形引線應在其安裝平面測量其他引線鍍層厚度的測量應在安裝面與引線端頭之間的中心部位進行引線外的其他部位和蓋板則應在主平面的中心進行利用顯微鏡檢查鍍層的剖面通常用X射線熒光法或背散射法測量鍍層厚度3.5設計和結構所有外殼的結構必須符合本規(guī)范和GB7092的規(guī)定底座和蓋板的尺寸應符合有關詳

6、細規(guī)范的規(guī)定外殼所用絕緣介質材料應具有良好的機械性能電性能導熱性能和化學穩(wěn)定性外殼的設計應能滿足熔焊低溫焊或采用燒結密封溫度在385以上的玻璃熔封工藝的要求禁止采用單層氧化鋁陶瓷金屬化片式載體結構3.5.1設計文件按本規(guī)范要求提供的所有外殼應將其設計文件資料提交鑒定機構審查這些文件應能充分全面地說明按本規(guī)范要求提供的外殼具體結構和各項性能并且能追溯到外殼生產和試驗時的生產批和檢驗批代碼3.5.2外形尺寸底座和蓋板尺寸應符合有關詳細規(guī)范和

7、購貨文件的規(guī)定檢查外形尺寸所用設備包括千分尺卡尺量規(guī)輪廓投影儀或其他等效測量設備除詳細規(guī)范中已明確規(guī)定了公差的尺寸外其余未定公差的尺寸陶瓷部分按GB4069的6級精度金屬部分按GBT1804中f的規(guī)定形狀和位置公差按GBT1184的規(guī)定3.6電特性3.6.1絕緣電阻引線與引線之間引線與基座之間的絕緣電阻應按GJB548A方法1003的規(guī)定測試除另有規(guī)定外施加500V的直流電壓漏電流應不大于50nA3.6.2引線電阻陶瓷底座外引線與引線鍵