濕法刻蝕工藝對單晶n型太陽電池的影響

1、濕法刻蝕工藝對單晶濕法刻蝕工藝對單晶N型太陽電池的影響型太陽電池的影響近年來，濕刻中的鈍化作用和清洗引起人們廣泛的關(guān)注。濕法刻蝕具有溫度低、效率高、成本低等優(yōu)點，在濕刻過程中，硅片的磷硅玻璃和金屬離子被有效去除，并能一次性完成鈍化和清洗去除雜質(zhì)，從而提高了硅片的使用效率。本文基于N型硅基太陽電池大規(guī)模生產(chǎn)，實驗對比了不同濕法刻蝕工藝對太陽能電池電學(xué)特性的影響。2實驗采用電阻率為2Ωcm，大小為156㎜156㎜，厚度為200μm的N型CZ

2、單晶硅片，通過堿制絨形成金字塔絨面和P擴(kuò)散形成n背場后，分別采用工藝流程1和流程2（如圖1所示）進(jìn)行濕法刻蝕，然后進(jìn)行B擴(kuò)散制備PN結(jié)以及后續(xù)PECVD沉積氮化硅減反射膜、印刷、燒結(jié)和測試等工序制成太陽能電池。通過SEM（JSM6390），反射率測試儀（D8），電池模擬測試儀（halm），分別對濕法刻蝕后硅片表面的形貌、反射率和太陽電池的電學(xué)參數(shù)進(jìn)行表征和測試。3結(jié)果與討論不同的濕法刻蝕工藝流程對硅片的腐蝕深度、表面形貌、反射率等參數(shù)有

3、著重要的影響。3.1不同濕法刻蝕工藝對硅片腐蝕深度的影響對硅片濕法刻蝕工序前后的重量進(jìn)行稱重以計算出腐蝕深度，是因為流程1中，腐蝕深度相對較大，硅片表面的“金字塔”邊緣變得平滑，最后導(dǎo)致反射率增加。無論是各向同性還是各向異性的腐蝕，腐蝕深度增加提高反射率。4結(jié)論在單晶硅太陽能電池片生產(chǎn)過程中，表面織構(gòu)是關(guān)鍵工序之一，可以減少太陽光在硅片表面的反射損失。但是單晶硅片為高表面能固體，表面能有減小的趨勢，易被外界污染。表面污染物直接影響成品電

4、池片的開路電壓、短路電流及光電轉(zhuǎn)換效率。因此，在太陽能生產(chǎn)企業(yè)中，需要對各工序進(jìn)行工藝的調(diào)整和優(yōu)化，達(dá)到降低成本，提高太陽電池轉(zhuǎn)換效率的目的。為了同時滿足提高產(chǎn)品的合格率和提高電池轉(zhuǎn)換效率有賴于進(jìn)一步對濕法刻蝕工藝流程進(jìn)行研究和實驗。無論是各向同性還是各向異性的腐蝕，都使腐蝕深度增加提高反射率，而且腐蝕深度增加，晶格缺陷處的腐蝕也會更深，硅片表面平整度會受影響。三者的相關(guān)變化最終對電池的電參產(chǎn)生了變化，在濕法刻蝕工藝前進(jìn)行HF藥液腐蝕處