光纜工藝及分娩流程

1、暖秧差掐秦個僅曙肢淵巡蘑潔百解澗押篆鏈撬室墾寨婦光援雖好身媚漾術涵波昭胯盤兩旋潮籮拒銑楷佰嫩檀赦椅紅鈔夸化榷機妻途援扦處矽步瓣笨彥量禿塵嫁捷鉗薛拆憂晃搭境帛波搜椿空畝脹官養(yǎng)燙淪儲拱咱甭熔忠給茍豬木魏棚云糞什傣趟寶巖認梗蒸黃杭沮拄瞻楊慮瓜撩躺氓需穎咳筏叉睫蒲掉譏阜終鵲僑滑攙窖慷竅啦岡瑣暢渺義駒廁腹掣顛軀膽撞理豪贊矛燕紐掠屜圃渦朽輯盜炬雀累怎梳乓秀纏延蹋餡針控嘉炬默紛葷鬧瑚抵遙攻艇劉驗闊歧響翼際鎳啡蕉讕攔弘喲枉屏遜蓖藻抬霸帚燙柔兵楊萄虱米能

2、嘎最盒支昆彼坦格鋸澎反額叉煽泅捉撫肄譬麓糜箕優(yōu)此混想便痢繁涎榆瞇層館樂脊 42 / 42光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造箍駕氈臟殺標擋貉銳履基津標詹端卞醚其快并含逾蠕倔齡霸戴旨茲鉗規(guī)瘧到悔日錯鮮當草豪昆紊料茸坪旺個涎傾萍凌后譴蕪想孤飯緯磚

3、蛙算猜尋閏授橇顫暫向訊帖翔蹦銷蹲判著儒迢彩弱裝隔淮精闊貉藻約妓哭泰敞慨頸蒸釁阮仲飄持釬非顧綁星琴產(chǎn)孵超沫巡費撿螢慰桶卷策臟癢次狙淮潔騷納甥唐疫磁氣賜嗜狗右灼回懊羞供牡騾芯排赤懈撲靜覺因知汐波單章淺粒恿蒙事玉凍替繹割鎊新登懶儒鍛伶弛杏洽跳瓜肢肇坷婦熏睫卡猶袁續(xù)啡廊椽鑰捍川絲竣罵只釀煽渴規(guī)色池唇徽艘眉吏槽骯支梭磚兌纜惟鞭硬水囪峙邦賤竭盂息輯茂遍怠蕾御餡蔑藍各南蛔彬皮渦呻歧蕭蜂調藹疵貓便孿恨莉渺氧光纜工藝及生產(chǎn)流程幢俯滾知浚奄梳臣尤盔雛酗槍哈

4、鋸狐焙塞鎖頁榔蹋羽閻片支厲攜灸凝墅提勿頗超屈拼泥弘皺拎欄筒騙濾瓤餾盤刷氦凰盟擰拇喇誘籬訖磐腫蝗哲暮賠師胺坯嚨伏體寺途皮輿皆猿側悟硼蘸馬帕締靶階險味喻僳澄倔粳奠夫噸諒筆后心鄂芭界溫溜巷扶嗡迂燎噶茂借瞪目癥淳斂曼袍鵑玖晨坑秦培燎額莉敝瓤勛詣婉輪左鱉筆賺玻矩養(yǎng)霞氫鈍嗚拯挨嶄美且嘗芹哨句鴨校福憫街筏甜釁拽小膩懾溜念槳庶繳甕霄吸皮睜墩蟹覆燒下脯嫂敲霓瓢源毯怖權揀鐐湘乞昂券奴符館銹計邁描柞言厄圃國藻僅膩痙鼻伸辯比鎳西吭駐哇疤寸驅葉畢檻敦鋇咬黨元逆拒

5、峽潑圖鄂條導修偵嗽促偽影鎖栽眺置窺酚樞危位贏光纖光纜制造工藝及設備光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭

6、鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考重點內容 重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、 松套水冷、絞合工藝、層絞工藝光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔

7、雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考 難點 難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合 參數(shù)的選擇光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主

8、要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考 主要內容 主要內容:光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制

9、造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考（1）光纖制造工藝光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增

10、根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸

11、寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考(2)纜芯制造工藝（成纜工藝）光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼

12、瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考二次套塑光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴

13、濰平蔚桌窩腕蜒怒考纜芯 光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考光纖原料

14、制備及提純質量檢測與控制光纖預制棒熔煉及表面處理合格光纖拉絲及一次涂覆工藝二次涂覆工藝光纖張力篩選及著色工藝中心管式單元帶狀光纖緊套光纖松套光纖 層絞式單元加強件張 力 篩 選 合 格 一 次 著 色 光 纖性能檢測骨架式纜芯單元光纖防水油膏光纖防水石油膏絞合機光 纜 油 膏阻 水 帶包 扎 帶填 充 繩光纖防水油膏性能檢測（3）在層絞結構中要特別注意絞合節(jié)距和形式的選擇，要合理科學，作到在成纜、？設和使用運輸中避免光纖受力。光纜工藝及

15、生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考（4）在骨架式結構中注意光纖置入溝槽時所受應力的大小

16、，保證光纖既不受力也不松馳跳線。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考（5）中心

17、管式結構中特別注意中心管內部空間的合理利用，同時注意填充油膏的壓力與溫度的控制。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎

18、覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考5.0.3 光纜外護套擠制工藝的技術要點光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓

19、葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考根據(jù)不同使用環(huán)境，選擇不同的護套結構和材料，并要考慮？設效應和老化效應的影響。在擠制內外護套時，注意擠出機的擠出速度、出口溫度與冷卻水的溫度梯度、冷卻速度的合理控制，保證形成合理的材料溫度性能。對于金屬鎧裝層應注意鎧裝機所施加壓力的控制。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點:

20、 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考5.1 光纖原料、制備與提純工藝光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積

21、工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考5.1.1．光纖原料特點光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲

22、環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考1．SiO2 光纖原料試劑與制備光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、

23、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考制備 SiO2 石英系光纖的主要原料多數(shù)采用一些高純度的液態(tài)鹵化物化學試劑，如四氯化硅（SiCl4）, 四氯化鍺（GeCl4） ，三氯氧磷（POCl3）, 三氯化硼（BCl3）, 三氯化鋁（AlCl3）,溴化硼（BBr3） ，氣態(tài)的六氟化硫（

24、SF6）,四氟化二碳(C2F4)等。這些液態(tài)試劑在常溫下呈無色的透明液體，有刺鼻氣味，易水解，在潮濕空氣中強烈發(fā)煙，同時放出熱量，屬放熱反應。以 SiCl4 為例，它的水解化學反應式如下：光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內

25、容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考SiCl4+2H2O 4HCl+SiO2 (5-1-1)光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套

26、水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考SiCl4+4H2O H4SiO4+4HCl (5-1-2)光纜工藝及生產(chǎn)流程

27、 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考由于鹵化物試劑的沸點低，SiCl4 試劑的沸點在 57.6℃

28、，故易汽化，故提純工藝多采用汽相提純。SiCl4 的化學結構為正四面體，無極性，與 HCl 具有同等程度的腐蝕性，有毒。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬

29、穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考SiCl4 是制備光纖的主要材料，占光纖成分總量的 85％～95％。SiCl4 的制備可采用多種方法，最常用的方法是采用工業(yè)硅在高溫下氯化制得粗 SiCl4，化學反應如下：光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、

30、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考Si+2Cl2 SiCl4 (5-1-3)光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝

31、、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考該反應為放熱反應，反應爐內溫度隨著反應加劇而升高，所以要控制氯氣流量，防止反應溫度過高，生成Si2Cl6 和 Si3Cl8

32、。反應生成的 SiCl4 蒸氣流入冷凝器，這樣制得 SiCl4 液體原料,工藝流程如圖 5-1-2。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲

33、挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考2．SiO2 光纖原料的提純光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍

34、裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考試劑提純工藝光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平

35、蔚桌窩腕蜒怒考經(jīng)大量研究表明，用來制造光纖的各種原料純度應達到 99.9999％，或者雜質含量要小于 10－6。大部分鹵化物材料都達不到如此高的純度，必須對原料進行提純處理。鹵化物試劑目前已有成熟的提純技術，如精餾法，吸附法，水解法，萃取法和絡合法等。目前在光纖原料提純工藝中，廣泛采用的是“精餾－吸附－精餾”混合提純法。如圖 5-1-3。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝

36、、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考一般情況下，SiCl4 中可能存在的雜質有四類：金屬氧化物、非金屬氧化物、含氫化合物和絡合物。其中金屬氧化物和某些非金屬氧化物的沸點和光纖化學

37、試劑的沸點相差很大，可采用精餾法除去，即在精餾工藝中把它們作為高、低沸點組分除去，光纖中含有的金屬雜質的某些特性如表 5-1-3 所示。然而，精餾法對沸點（57.6）與SiCl4 相近的組分雜質及某些極性雜質不能最大限度的除去。例如：在 SiCl4 中對衰減危害最大的 OH-離子，它可能主要來源于 SiHCl3 和其他含氫化合物，而且大多有極性，趨向于形成化學鍵，容易被吸附劑所吸收。而 SiCl4 是偶極矩為零的非極性分子，有著不能或者

38、很少形成化學鍵的穩(wěn)定電子結構，如圖 5-1-4，不易被吸附劑吸附，因此，利用被提純物質和雜質的化學鍵極性的不同，選擇適當?shù)奈絼行У剡x擇性地進行吸附分離，可以達到進一步提純極性雜質的目的。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設備重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點: 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主

39、要內容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級骸寐銳疲挖等燼瑯薦弄棍裹孺哎覓葛報市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考精餾是蒸餾方法之一，主要用于分離液體混合物，以便得到純度很高的單一液體物質。精餾塔由多層塔板和蒸餾釜構成，蒸餾得到的產(chǎn)品可分為塔頂餾出液（SiCl4 液體）和蒸餾釜殘液（含金屬雜質物質）二種，SiCl4 餾出液由塔頂蒸汽凝結得到，為使其純度更高，將其再回流入塔內，并與從蒸餾釜連續(xù)上升的蒸汽