相變存儲(chǔ)陣列的測(cè)試方法及熱串?dāng)_HSPIC模擬研究.pdf

1、作為下一代有廣闊前景的非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器之一，相變存儲(chǔ)器（Phase Change Memory）具有功耗低、速度快、可實(shí)現(xiàn)多值存儲(chǔ)等優(yōu)勢(shì)，在近年來(lái)得到了飛速發(fā)展。相變存儲(chǔ)器工作的核心原理是利用相變材料溫度和熱量的變化引起相態(tài)的改變來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的存儲(chǔ)狀態(tài)，因此對(duì)相變存儲(chǔ)陣列相關(guān)溫度特性的研究是研究重點(diǎn)之一。相變存儲(chǔ)器的集成度的提高受到陣列工藝、容量以及單元間熱串?dāng)_等因素的制約。對(duì)于大容量相變存儲(chǔ)器，我們需要不斷對(duì)相變存儲(chǔ)陣列進(jìn)行相關(guān)電特性

2、測(cè)試來(lái)指導(dǎo)工藝技術(shù)的改進(jìn)和提高，同時(shí)，在目前還沒(méi)有成熟的陣列熱串?dāng)_測(cè)試方法的情況下，通過(guò)建立模型進(jìn)一步模擬分析陣列熱串?dāng)_對(duì)進(jìn)一步提高相變存儲(chǔ)器的集成度具有指導(dǎo)意義。
　　在測(cè)試相變存儲(chǔ)陣列時(shí)，本文構(gòu)建了一個(gè)可以準(zhǔn)確快速選取相變存儲(chǔ)陣列中指定單元進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試系統(tǒng)，系統(tǒng)的核心是陣列選址測(cè)試板。本文研究重點(diǎn)之一便是陣列選址測(cè)試板的設(shè)計(jì)與制作，測(cè)試板主要分為行選擇電路和列選擇電路，行列選擇電路結(jié)構(gòu)類(lèi)似，均是由多級(jí)開(kāi)關(guān)陣列實(shí)現(xiàn)多路復(fù)用模擬

3、通道的選通。文中通過(guò)選址測(cè)試板對(duì)相變存儲(chǔ)陣列樣品進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果驗(yàn)證了測(cè)試板優(yōu)良的選通功能和陣列良好的工作性能。
　　為了進(jìn)一步分析研究相變存儲(chǔ)陣列存儲(chǔ)單元之間的熱串?dāng)_現(xiàn)象，本文另一個(gè)研究重點(diǎn)是根據(jù)熱學(xué)、電學(xué)、晶體動(dòng)力學(xué)等基本原理構(gòu)建了相變存儲(chǔ)陣列HSPICE模型。文中詳細(xì)介紹了模型各個(gè)模塊的構(gòu)建思路及原理，確定了各模型參數(shù)。首先，通過(guò)基本仿真結(jié)果與相變存儲(chǔ)器工作原理對(duì)比驗(yàn)證了模型的可行性；然后基于該模型對(duì)相鄰單元間的熱串?dāng)_進(jìn)行