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文檔簡介
1、聚合物基納米電介質(zhì)材料因其優(yōu)異的電氣性能、熱性能廣泛應(yīng)用于電氣絕緣、變頻電機(jī)、直流電纜等領(lǐng)域。由于界面層是決定納米復(fù)合電介質(zhì)材料熱性能和電性能優(yōu)劣的關(guān)鍵因素,已成為納米電介質(zhì)材料科學(xué)研究的熱點。本文以非晶極性聚酰亞胺(PI)、半結(jié)晶非極性低密度聚乙烯(LDPE)和交聯(lián)聚乙烯(XLPE)為基體材料,摻雜SiO2、氣相SiO2(V-SiO2)、偶聯(lián)劑包覆氣相SiO2(K-SiO2),研究顆粒尺寸、組分、表面修飾及基體特性等因素對復(fù)合薄膜微結(jié)
2、構(gòu)的影響;在施加電場和溫度場下,研究復(fù)合薄膜微結(jié)構(gòu)演化規(guī)律及對介電性能的影響。論文主要工作如下。
采用原位聚合法制備了不同尺寸、組分的SiO2/PI、V-SiO2/PI和K-SiO2/PI復(fù)合薄膜,采用SAXS、TEM等測試手段表征復(fù)合薄膜微結(jié)構(gòu),研究不同尺寸、組分和表面修飾的SiO2顆粒在PI基體中的分散性及與界面層之間關(guān)系。研究結(jié)果表明,SiO2顆粒尺寸、組分與界面層存在閾值關(guān)系,小尺寸(Snm、10nm)SiO2/PI復(fù)
3、合薄膜具有界面層,隨納米顆粒尺寸減小,界面層厚度增大;半徑大于25nm,復(fù)合薄膜無界面層;小組分(小于15wt%)復(fù)合薄膜無界面層,僅有質(zhì)量分形;組分大于15wt%的復(fù)合薄膜具有界面層及質(zhì)量分形和表面分形特征;組分1-20wt%K-SiO2/PI復(fù)合薄膜具有界面層及質(zhì)量分形和表面分形特征;V-SiO2顆粒在復(fù)合薄膜以直徑100-500nm的團(tuán)簇分散,偶聯(lián)劑與基體之間產(chǎn)生較強的化學(xué)鍵合作用,K-SiO2分散性好。
針對PI基電介
4、質(zhì)材料實際應(yīng)用,采用短時極化和長時電暈兩種測試方法,結(jié)合薄膜介電性能測試,研究電場作用下V-SiO2/PI復(fù)合薄膜微結(jié)構(gòu)演化規(guī)律。研究結(jié)果表明,短時極化影響復(fù)合薄膜電子密度,極化后基體電子密度不變,界面層厚度不變、電子密度增大;隨溫度升高,基體電子密度不變,界面層厚度不變及電子密度減小;電場長時作用下,復(fù)合薄膜微結(jié)構(gòu)發(fā)生顯著變化,電暈初期界面層厚度快速增加,電暈中后期保持穩(wěn)定;電暈過程中,基體電子密度減小,界面層厚度及其電子密度增加;V
5、-SiO2顆粒與PI基體高分子鏈形成無機(jī)顆粒阻礙層,提高復(fù)合薄膜耐電暈性能。
采用熔融共混法制備不同組分的V-SiO2/LDPE、K-SiO2/LDPE、V-SiO2/XLPE、K-SiO2/XLPE復(fù)合薄膜,采用SAXS、SEM、DSC、DMA等測試手段表征復(fù)合薄膜的微結(jié)構(gòu)和測試性能,研究V-SiO2顆粒組分與LDPE基體間界面層的關(guān)系及溫度場和電場作用下V-SiO2/LDPE復(fù)合介質(zhì)微結(jié)構(gòu)演化與電導(dǎo)率的關(guān)系,提出并證實了V
6、-SiO2/LDPE納米復(fù)合電介質(zhì)中“界面層抑制電導(dǎo)率增加”模型。研究結(jié)果表明,V-SiO2/LDPE復(fù)合介質(zhì)呈現(xiàn)“界面層增加現(xiàn)象”,隨溫度升高,界面層厚度增大。復(fù)合薄膜電導(dǎo)率較純LDPE薄膜降低2個數(shù)量級,隨溫度升高,界面層厚度增加對載流子的散射作用和抑制能力相應(yīng)增強,有效抑制空間電荷集聚,平順復(fù)合薄膜內(nèi)部電場,降低電導(dǎo)率對溫度的敏感度;
在溫度場作用下,研究了V-SiO2和K-SiO2兩種顆粒與PI、LDPE、XLPE三種
7、基體復(fù)合薄膜微結(jié)構(gòu)演化規(guī)律及機(jī)理,提出并通過實驗證實了“界面層記憶效應(yīng)”模型。研究得出,V-SiO2和K-SiO2顆粒在LDPE和XLPE基復(fù)合薄膜呈現(xiàn)“正界面層記憶效應(yīng)”;隨溫度升高,界面層厚度增大;溫度下降,界面層厚度減小并恢復(fù)。K-SiO2/PI復(fù)合薄膜為“負(fù)界面層記憶效應(yīng)”,隨溫度升高,界面層厚度減小;溫度下降,界面層厚度增大并恢復(fù)。包覆層和基體密度決定“正、負(fù)界面層記憶效應(yīng)”。
研究了納米顆粒摻雜引起LDPE和XLP
8、E球晶和片晶形貌變化的機(jī)理及微結(jié)構(gòu)變化對復(fù)合薄膜熱性能的影響規(guī)律,提出“顆粒誘發(fā)LDPE片晶形變效應(yīng)”模型;研究結(jié)果表明,在LDPE基復(fù)合薄膜中,SiO2顆粒使得片晶厚度增加、長度減小并影響片晶生長取向。由于片晶在XLPE基復(fù)合薄膜中交織重疊生長,SiO2顆粒添加對片晶厚度和長度無明顯改變。SiO2顆粒使得復(fù)合薄膜中球晶直徑減小、數(shù)量增加,球晶直徑和數(shù)量改變直接影響復(fù)合薄膜融化溫度和結(jié)晶溫度。
溫度場作用下,通過實驗和理論分析
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