復(fù)習(xí)專(zhuān)題十物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較

1、專(zhuān)題十二 專(zhuān)題十二 物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較及應(yīng)用（生） 物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較及應(yīng)用（生）一、知識(shí)點(diǎn)1.一般熔、沸點(diǎn)：固＞液＞氣，如：碘單質(zhì)>汞>CO22. 由周期表看主族單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)同一主族單質(zhì)的熔點(diǎn)基本上是越向下金屬熔點(diǎn)漸低；而非金屬單質(zhì)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)漸高。但碳族元素特殊，即C，Si，Ge，Sn 越向下，熔點(diǎn)越低，與金屬族相似；還有ⅢA 族的鎵熔點(diǎn)比銦、鉈低；ⅣA 族的錫熔點(diǎn)比鉛低。3. 同周期中的幾個(gè)區(qū)域的熔點(diǎn)規(guī)律① 高熔點(diǎn)

2、單質(zhì) C， Si， B 三角形小區(qū)域， 因其為原子晶體， 故熔點(diǎn)高， 金剛石和石墨的熔點(diǎn)最高大于 3550℃。金屬元素的高熔點(diǎn)區(qū)在過(guò)渡元素的中部和中下部，其最高熔點(diǎn)為鎢（3410℃） 。② 低熔點(diǎn)單質(zhì) 非金屬低熔點(diǎn)單質(zhì)集中于周期表的右和右上方，另有IA 的氫氣。其中稀有氣體熔、沸點(diǎn)均為同周期的最低者，如氦的熔點(diǎn)（－272.2℃，26×105Pa） 、沸點(diǎn)（268.9℃）最低。金屬的低熔點(diǎn)區(qū)有兩處：IA、ⅡB 族 Zn，Cd，H

3、g 及ⅢA 族中 Al，Ge，Th；ⅣA 族的 Sn，Pb；ⅤA 族的 Sb，Bi，呈三角形分布。最低熔點(diǎn)是Hg(－38.87℃)，近常溫呈液態(tài)的鎵（29.78℃）銫（28.4℃） ，體溫即能使其熔化。4. 從晶體類(lèi)型看熔、沸點(diǎn)規(guī)律晶體純物質(zhì)有固定熔點(diǎn)；不純物質(zhì)凝固點(diǎn)與成分有關(guān)（凝固點(diǎn)不固定） 。 非晶體物質(zhì)，如玻璃、水泥、石蠟、塑料等，受熱變軟，漸變流動(dòng)性（軟化過(guò)程）直至液體，沒(méi)有熔點(diǎn)。① 原子晶體的熔、沸點(diǎn)高于離子晶體，又高于分子晶

4、體。例如：SiO2＞NaCL＞CO2（干冰） 。在原子晶體中成鍵元素之間共價(jià)鍵越短的鍵能越大， 則熔點(diǎn)越高。 判斷時(shí)可由原子半徑推導(dǎo)出鍵長(zhǎng)、 鍵能再比較。如 鍵長(zhǎng)： 金剛石（C—C）＞碳化硅（Si—C）＞晶體硅 （Si—Si） 。熔點(diǎn)：金剛石>碳化硅>晶體硅②在離子晶體中，化學(xué)式與結(jié)構(gòu)相似時(shí)，陰陽(yáng)離子半徑之和越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。反之越低。如 KF＞KCl＞KBr＞KI，ca*＞KCl。③ 分子晶體的熔沸點(diǎn)由分子間作

5、用力而定，分子晶體分子間作用力越大物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高，反之越低。對(duì)1（5） W 和 Q 所形成的結(jié)構(gòu)陶瓷材料的一種合成方法如下： W 的氯化物與 Q 的氫化物加熱反應(yīng)， 生成化合物 W(QH2)4和 HCl 氣體；W(QH2)4 在高溫下分解生成 Q 的氫化物和該陶瓷材料。上述相關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式（各物質(zhì)用化學(xué)式表示）是_______________。5． （09 山東卷 32）C 和 Si 元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。（1）寫(xiě)出 S

6、i 的基態(tài)原子核外電子排布式 。從電負(fù)性角度分析，C、Si 和 O 元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?。（2）SiC 的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中 C 原子的雜化方式為 ，微粒間存在的作用力是 。（3）氧化物 MO 的電子總數(shù)與 SiC 的相等，則 M 為 （填元素符號(hào)） 。MO 是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與 NaCl 晶體相似。MO 的熔點(diǎn)比 CaO 的高，其原因是 。（4）C、Si 為同一主族的元素，CO2 和 SiO2 化

7、學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2 中 C 與 O 原子間形成σ 鍵和π 鍵，SiO2 中 Si 與 O 原子間不形成上述π 健。從原子半徑大小的角度分析，為何 C、O 原子間能形成，而 Si、O 原子間不能形成上述π 鍵 。6.（09 福建卷 30）Q、R、X、Y、Z 五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知：①Z 的原子序數(shù)為 29，其余的均為短周期主族元素；②Y 原子價(jià)電子（外圍電子）排布；③R 原子核外 L 層電子數(shù)為奇數(shù)；④Q、

8、X 原子 p 軌道的電子數(shù)分別為 2 和 4。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：（1）Z2+ 的核外電子排布式是 。（2）在[Z(NH3)4]2+離子中，Z2+的空間軌道受 NH3 分子提供的 形成配位鍵。（3）Q 與 Y 形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙，下列判斷正確的是 。a.穩(wěn)定性：甲＞乙，沸點(diǎn)：甲＞乙b.穩(wěn)定性：甲＞乙，沸點(diǎn)：甲＜乙c.穩(wěn)定性：甲＜乙，沸點(diǎn)：甲＜乙d.穩(wěn)定性：甲＜乙，沸點(diǎn)：甲＞乙(4) Q、R、Y 三種元素的第一電離能數(shù)值由小到