集成電路等離子體濺射磁控管旋轉(zhuǎn)軌跡控制系統(tǒng).pdf

1、當(dāng)今設(shè)備集成電路產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用，物理氣相沉積裝備是集成電路生產(chǎn)線上主要設(shè)備的組成部分之一。物理氣相沉積設(shè)備的性能指標(biāo)主要為:靶材利用率和薄膜均勻性。影響這兩項指標(biāo)的關(guān)鍵技術(shù)是磁控管的旋轉(zhuǎn)軌跡。如何控制磁控管的旋轉(zhuǎn)軌跡不僅是當(dāng)今一個重要課題更是科技強(qiáng)國的一種體現(xiàn)。
　　PLC及電機(jī)驅(qū)動器是控制旋轉(zhuǎn)磁控管的關(guān)鍵部件，它影響運行速度及精度。軌跡方程和插補(bǔ)算法是控制旋轉(zhuǎn)磁控管的核心，它影響軌跡匹配度及誤差糾正，因此選擇合適的算法非常重

2、要。
　　對上述提出的難點本課題進(jìn)行了深入的分析和研究，提出了可提高靶材離化率和薄膜材料均勻性的控制方法。
　　本論文首先講解了軌跡方程及插補(bǔ)算法的原理，為后續(xù)系統(tǒng)實現(xiàn)提供了理論基礎(chǔ)。
　　其次介紹了整機(jī)控制系統(tǒng)架構(gòu)，重點對硬件結(jié)構(gòu)部分設(shè)計、電氣硬線連接設(shè)計和控制程序設(shè)計進(jìn)行闡述。在程序設(shè)計環(huán)節(jié)重點對軟件架構(gòu)、開發(fā)環(huán)境、原點搜索、插補(bǔ)過程計算和報警處理進(jìn)行流程介紹。
　　最后用Matlab軟件對圖形軌跡進(jìn)行了仿真