谷胱甘肽與銅、硒的分析測(cè)定應(yīng)用及生物電化學(xué)研究.pdf

1、本文研究了玻碳汞膜電極上谷胱甘肽（GSH）的電化學(xué)行為以及測(cè)定方法和用L-半胱氨酸在金電極表面制備了自組裝膜修飾電極并用電化學(xué)方法靈敏的測(cè)定了銅離子和亞硒酸鈉并探討了自組裝膜通過(guò)銅和亞硒酸鈉的電催化作用機(jī)理。
　　1、利用循環(huán)伏安法(CV)研究了玻碳汞膜電極上谷胱甘肽（GSH）的電化學(xué)行為和定量測(cè)定方法。在含有GSH的B.R.緩沖溶液(pH=4.0)介質(zhì)中，當(dāng)汞膜電極處上汞的氧化電位的正電位時(shí)，電極表面生成的汞離子與GSH作用生成

2、電荷轉(zhuǎn)移配合物并沉積在電極表面起預(yù)富集GSH的作用。當(dāng)電極向負(fù)方向掃描時(shí)，CV圖上出現(xiàn)靈敏的汞的陰極溶出峰電流且該溶出峰電流與溶液中的GSH濃度呈良好的線性關(guān)系。利用該方法測(cè)定基體成分簡(jiǎn)單的針劑中的GSH和植物提取液（枸杞）中的GSH含量并與顯色光度法的測(cè)定結(jié)果比較，結(jié)果基本吻合。對(duì)電極反應(yīng)機(jī)理和影響陰極溶出伏安特性的像酸度、干擾成分、掃描速率及電流函數(shù)等因素做了探討并提出了電極反應(yīng)機(jī)理。
　　2、利用L-半胱氨酸自組裝膜金電極（

3、L-Cys,Au/SAMs）,在0.2mol·L-1 HAc-NaAc緩沖液中研究了Cu2+的電化學(xué)特性。在0.7V-0.3V（vs.Ag|AgCl）電位范圍內(nèi)的循環(huán)伏安（CV）測(cè)定結(jié)果表明，修飾電極表面上的硫原子與Cu2+之間發(fā)生明顯的自發(fā)的氧化還原作用并生成Cu+配合物，這種配位作用具有富集銅離子于電極表面的特性，并具有催化Cu→Cu2+的電化學(xué)氧化過(guò)程。對(duì)不同量比的半胱氨酸和Cu2+混合溶液的CV和UV-vis光譜測(cè)定結(jié)果表明，C

4、u2+與電極表面的兩個(gè)硫原子作用生成電荷轉(zhuǎn)移配合物。根據(jù)電化學(xué)測(cè)定和配合物的計(jì)量關(guān)系的研究，提出了修飾電極上Cu2+電化學(xué)反應(yīng)機(jī)理，并利用類生物膜模型提出了外源性銅通過(guò)胞內(nèi)的GSH的巰基硫原子與Cu2+的跨膜氧化還原作用生物利用銅的機(jī)理。
　　3、利用L-半胱氨酸自組裝膜修飾金電極（L-Cys,Au/SAMs）,在0.05 mol·L-1H2SO4底液中研究了Na2SeO3的電化學(xué)特性。在0.00～1.30V(vs.SCE)電位范

5、圍內(nèi)對(duì)微量亞硒酸鈉進(jìn)行循環(huán)伏安掃描，發(fā)現(xiàn) L-Cys,Au/SAMs修飾電極在峰電位0.99V處有靈敏的Se的氧化溶出峰。通過(guò)比較裸金電極和修飾電極在 Na2SeO3溶液中的電化學(xué)特性，發(fā)現(xiàn)修飾電極通過(guò)巰基中的硫和亞硒酸鈉的氧化還原作用生成零價(jià)硒(Se)，且修飾電極對(duì)沉積在電極表面 Se的氧化過(guò)程具有催化作用。根據(jù)亞硒酸鈉在單分子膜上的電化學(xué)行為研究，提出了單分子膜中硫（Au-S）與Se（IV）作用生成Se的反應(yīng)機(jī)理、Se電化學(xué)催化氧化