用于溫補(bǔ)晶振的低功耗CMOS溫度傳感器設(shè)計(jì).pdf

1、電池供電的低功耗無(wú)線傳感器節(jié)點(diǎn)通過(guò)定時(shí)喚醒的方式進(jìn)入工作狀態(tài)傳輸數(shù)據(jù)，它們大部分時(shí)間處于僅維持時(shí)鐘計(jì)時(shí)的休眠狀態(tài)。為了避免因節(jié)點(diǎn)喚醒時(shí)同步時(shí)間過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致動(dòng)態(tài)能耗浪費(fèi)以及節(jié)省休眠能耗，就需要使用高精度低功耗的時(shí)鐘系統(tǒng)。溫度補(bǔ)償是實(shí)現(xiàn)高精度時(shí)鐘的常用方法，但其功耗遠(yuǎn)大于時(shí)鐘電路的功耗，因此設(shè)計(jì)低功耗溫度傳感器是實(shí)現(xiàn)低功耗時(shí)鐘系統(tǒng)的關(guān)鍵。
　　本文用在亞閾值區(qū)工作的MOSFET設(shè)計(jì)低功耗感溫元件和兩級(jí)運(yùn)算放大器，并用頻率-數(shù)字轉(zhuǎn)換器取代傳

2、統(tǒng)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，結(jié)合定制電路技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種低功耗CMOS溫度傳感器。主要工作如下:1）用亞閾值電路設(shè)計(jì)技術(shù)，基于2T電壓基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了低功耗感溫元件。2）以基本的兩級(jí)運(yùn)算放大器為基礎(chǔ)，調(diào)整晶體管工作區(qū)，設(shè)計(jì)亞閾值兩級(jí)運(yùn)放。3）利用電壓，電流轉(zhuǎn)換器的堆疊結(jié)構(gòu)取代電流鏡，避免產(chǎn)生雙電流路徑，節(jié)省電流產(chǎn)生電路一半的電流消耗。4）設(shè)計(jì)由環(huán)形振蕩器和異步計(jì)數(shù)器組成的頻率-數(shù)字轉(zhuǎn)換器，利用傳輸門(mén)和反相器級(jí)聯(lián)形式設(shè)計(jì)新型結(jié)構(gòu)的環(huán)形振蕩器，減少了振蕩

3、器級(jí)數(shù)，并采用定制電路技術(shù)設(shè)計(jì)反相器和觸發(fā)器，用全定制的觸發(fā)器設(shè)計(jì)異步計(jì)數(shù)器，優(yōu)化計(jì)數(shù)器的控制邏輯和時(shí)序。
　　本文基于臺(tái)積電0.18μm CMOS工藝完成了溫度傳感器的設(shè)計(jì)，面積大小為0.078mm2。后仿真結(jié)果表明:在1.2V、TT工藝角、25℃下，溫度傳感器的功耗為84nW，轉(zhuǎn)換時(shí)間為17ms時(shí)，每次轉(zhuǎn)換消耗能量1.428nJ。4點(diǎn)校準(zhǔn)后，在-40℃～85℃范圍內(nèi)測(cè)量誤差為-1.88℃～1.86℃，分辨率達(dá)到0.14℃/LS