側(cè)向光伏效應(yīng)和雙極性電阻效應(yīng)在Cu2O-Si結(jié)構(gòu)中的研究.pdf

1、氧化氧化亞銅(Cu2O)因其具有無毒性、儲量大、制造成本低等諸多優(yōu)點(diǎn),在過去的幾十年被廣泛地研究,主要應(yīng)用于太陽能電池、電致變色器件、氣體/濕度探測器等器件。然而,少有研究報道 Cu2O作為位移探測器、新型光控變阻器和信息存儲器的應(yīng)用。本論文通過磁控濺射方法在硅襯底上鍍一層納米級別厚度的Cu2O薄膜,以研究在該結(jié)構(gòu)中顯著的側(cè)向光伏效應(yīng)和雙極性電阻效應(yīng)。通過對這些效應(yīng)的研究,闡明了Cu2O材料的新型光電特性,豐富了其作為光電子器件的應(yīng)用前

2、景。
　　本論文第一章概述了側(cè)向光伏效應(yīng)和雙極性電阻效應(yīng)及其應(yīng)用。第二章主要介紹側(cè)向光伏效應(yīng)和雙極性電阻效應(yīng)的理論,通過兩種理論模型解釋側(cè)向光伏和光照位置的線性關(guān)系,并利用載流子的擴(kuò)散和漂移模型解釋雙極性電阻效應(yīng)。第三章主要介紹了樣品的制備及其形貌和組分分析。第四章研究了Cu2O/Si結(jié)構(gòu)中的側(cè)向光伏效應(yīng),分析了四種模式下產(chǎn)生不同側(cè)向光伏值的原因,并介紹該結(jié)構(gòu)在近紅外激光照射下的側(cè)向光伏效應(yīng)。第五章主要研究了Cu2O/Si結(jié)構(gòu)中偏