聚合物膜修飾電極的制備及其對神經(jīng)遞質(zhì)電化學(xué)行為的研究.pdf

1、化學(xué)修飾電極（CME）是電分析化學(xué)中相當(dāng)活躍的研究領(lǐng)域。它可以通過對電極表面的分子剪裁，給電極加以預(yù)定的功能，以便在其上有選擇的進(jìn)行所期望的反應(yīng)。本文采用電聚合的方法來修飾電極，進(jìn)而對神經(jīng)遞質(zhì)進(jìn)行電化學(xué)檢測。論文具體的以設(shè)計、制備新型和高效的聚合物膜修飾電極為出發(fā)點，進(jìn)行了多巴胺（DA）和腎上腺素（EP）等兒茶酚胺類神經(jīng)遞質(zhì)的電化學(xué)檢測研究工作，其主要研究內(nèi)容如下：
　　1.研究了吖啶紅在玻碳電極上的電化學(xué)聚合及聚合物膜修飾電極的

2、電化學(xué)特性，實驗結(jié)果表明：該修飾電極對神經(jīng)遞質(zhì)DA的電化學(xué)氧化有明顯的催化作用，使其氧化峰電位降低，峰電流顯著增強(qiáng)。在pH7.5的磷酸鹽緩沖溶液（PBS）中，DA的氧化峰電流與其濃度在1.0×10-7~1.0×10-4molL-1范圍內(nèi)呈線性關(guān)系。此修飾電極對抗壞血酸（AA）無明顯響應(yīng)，從而能有效地消除AA對DA測定的干擾。
　　2.研究了鄰氨基苯甲酸修飾電極的制備及神經(jīng)遞質(zhì)DA在該聚合物薄膜修飾電極上的電化學(xué)行為。該聚合物膜能顯

3、著催化DA的氧化。在選定條件下，DA的氧化峰電流與其濃度在1.0×10-7~1.0×10-5molL-1和1.0×10-5~2.0×10-4 molL-1的范圍內(nèi)呈線性關(guān)系。利用聚氨基苯甲酸膜中帶負(fù)電荷的羧酸根與AA陰離子之間的排斥作用可消除其對DA測定的影響，并可在修飾電極上對兩者進(jìn)行同時測定。此外，還對多巴酸的干擾進(jìn)行了研究。
　　3.制備了聚對氨基苯磺酸修飾的玻碳電極，并利用循環(huán)伏安、示差脈沖和計時電流曲線研究了該聚合膜的性

4、質(zhì)，計算了DA在膜內(nèi)的擴(kuò)散系數(shù)，并初步探討了該膜的聚合機(jī)理。在AA共存條件下，兩者在修飾電極上的氧化峰電位分開可達(dá)204mV。DA的峰電流與其濃度在1.0×10-7~1.0×10-6 molL-1，1.0×10-6~1.0×10-5molL-1和1.0×10-5~1.0×10-4molL-1的范圍內(nèi)呈線性關(guān)系，檢測限為2.0×10-8molL-1。因AA陰離子與膜中的SO3-之間存在靜電排斥作用，從而消除了它對DA測定的干擾。該法可用于

5、樣品中DA的測定。
　　4.研究了氨基磺酸在玻碳電極上的電化學(xué)聚合及該聚合物膜修飾電極的電化學(xué)特性，探討了EP在此聚合物膜修飾電極上的電化學(xué)行為。該修飾電極可同時對EP和AA進(jìn)行檢測。EP在修飾電極上呈現(xiàn)兩個氧化峰和一個還原峰，其峰電位都隨著pH值的增加而負(fù)移。當(dāng)其與AA共存時，二者氧化峰電位分開可達(dá)190mV。EP氧化峰電流與其濃度在1.0×10-7~1.0×10-4molL-1的范圍時呈良好的線性關(guān)系，檢出限可達(dá)1.0×10-