金屬Sb在Au單晶電極上欠電位沉積和不可逆吸附的現(xiàn)場(chǎng)STM研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該論文選擇Sb為沉積金屬,用現(xiàn)場(chǎng)STM方法輔以傳統(tǒng)電化學(xué)方法對(duì)Sb的不可逆吸附及欠電位沉積行為展開研究.并對(duì)不可逆吸附與欠電位沉積兩者之間的相互影響、不同晶面結(jié)構(gòu)及陰離子對(duì)不可逆吸附及欠電位沉積機(jī)制的影響展開討論.該論文應(yīng)用電化學(xué)掃描隧道顯微鏡和傳統(tǒng)電化學(xué)方法研究了Sb在Au(111)和Au (100)兩種不同單晶表面的不可逆吸附和欠電位沉積過(guò)程.但是由于論文工作時(shí)間的限制和課題本身的復(fù)雜性,很多工作有待進(jìn)一步完善.對(duì)于Sb在Au(11

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