氮分子在銅單晶表面Cu（111）上的吸附—脫附.pdf

1、在這篇論文中我們描述了一個(gè)計(jì)算從單晶表面重組脫附分子動(dòng)能分布和角分布的新模型。用這個(gè)模型，我們分析了從Cu(111)銅單晶表面脫附分子韻動(dòng)能分布和角分布。用計(jì)算脫附分子動(dòng)能分布的計(jì)算擬合參數(shù)，我們得到脫附過程中釋放到氮分子的能量分布，分布的范圍從2.0eV至6.0eV，釋放到脫附氮分子的平均能量大約是4.0eV。而用密度函數(shù)理論計(jì)算的氮在清潔Cu(111)面上的吸附能壘大約是6.0eV。根據(jù)細(xì)節(jié)平衡原理，在脫附過程中釋放的能量應(yīng)該等于吸

2、附能壘，對(duì)于密度函數(shù)理論計(jì)算的吸附能壘與脫附過程中釋放的能量差異有兩種可能的解釋。第一種解釋是在表面重組脫附過程中，脫附分子會(huì)選擇能壘較低的途徑，也就是說脫附事件優(yōu)先發(fā)生在表面缺陷或臺(tái)階處，脫附地方發(fā)生在表面平臺(tái)處的概率相對(duì)較低。因此，我們可以認(rèn)為在計(jì)算的能量釋放分布圖高端(6.0ev)對(duì) 應(yīng)從平臺(tái)處脫附，低端(2.0ev)對(duì)應(yīng)從表面缺陷或臺(tái)階處脫附。另一種解釋是密度函數(shù)理論計(jì)算的吸附能壘是氮分子在清潔Cu(111)的吸附能壘，而脫附