氮分子在銅單晶表面Cu（111）上的吸附—脫附.pdf

1、在這篇論文中我們描述了一個計算從單晶表面重組脫附分子動能分布和角分布的新模型。用這個模型，我們分析了從Cu(111)銅單晶表面脫附分子韻動能分布和角分布。用計算脫附分子動能分布的計算擬合參數(shù)，我們得到脫附過程中釋放到氮分子的能量分布，分布的范圍從2.0eV至6.0eV，釋放到脫附氮分子的平均能量大約是4.0eV。而用密度函數(shù)理論計算的氮在清潔Cu(111)面上的吸附能壘大約是6.0eV。根據細節(jié)平衡原理，在脫附過程中釋放的能量應該等于吸

2、附能壘，對于密度函數(shù)理論計算的吸附能壘與脫附過程中釋放的能量差異有兩種可能的解釋。第一種解釋是在表面重組脫附過程中，脫附分子會選擇能壘較低的途徑，也就是說脫附事件優(yōu)先發(fā)生在表面缺陷或臺階處，脫附地方發(fā)生在表面平臺處的概率相對較低。因此，我們可以認為在計算的能量釋放分布圖高端(6.0ev)對 應從平臺處脫附，低端(2.0ev)對應從表面缺陷或臺階處脫附。另一種解釋是密度函數(shù)理論計算的吸附能壘是氮分子在清潔Cu(111)的吸附能壘，而脫附