鈦摻雜碳納米管及硫化鎘@碳雜化微納米結(jié)構(gòu)非易失性存儲性能的研究.pdf

1、基于阻值變化來記錄數(shù)據(jù)的阻變存儲器，以其設備簡單，擁有可觀的微縮化前景，成為最具有前景的下一代非易失性存儲器，國際上這方面研究工作也進行得如火如荼。然而，目前阻變機制的不清晰，以及如何調(diào)控基體材料的阻變性能等問題是其實用化存在的瓶頸。本文從微納米結(jié)構(gòu)材料著手，研究在外界環(huán)境改變時其阻值的可逆變化，進一步探索了其在新一代非易失性阻變存儲器方面的應用，并取得以下成果：
　　(1)分別利用改良的化學氣相沉積法和低溫燃燒合成法制備出鈦摻雜

2、的碳納米管和硫化鎘@碳雜化微/納米帶。并通過摻雜和雜化等技術手段對兩種低維半導體微/納米結(jié)構(gòu)進行可控調(diào)制，使它們在外界光、電、熱的作用下呈現(xiàn)出有規(guī)律的阻變行為。
　　(2)在壓阻效應研究中，發(fā)現(xiàn)兩種微/納米結(jié)構(gòu)材料在不同應變量下的電阻與應變大小之間都呈現(xiàn)出有規(guī)律性的變化行為。張應變下電阻增大，壓應變下電阻降低,且應變量越大，阻值變化越大。
　　(3)在電阻開關效應研究中，發(fā)現(xiàn)在一定溫度范圍內(nèi)，鈦摻雜碳納米管隨溫度增加其阻變現(xiàn)

3、象越明顯的變化規(guī)律。
　　(4)在光電導效應研究中，發(fā)現(xiàn)硫化鎘@碳雜化微/納米帶在亞帶隙光下，會出現(xiàn)負光電導效應，且在低電壓下具有良好的持續(xù)性負光電導。
　　(5)利用應變、溫度和紅外光三方面的協(xié)同效應對阻變存儲性能進行探究，發(fā)現(xiàn)其在外界寫入信號撤銷后，器件的電阻不會回到初始的狀態(tài)，意味著信號得以保存。而且,寫入的信號可以通過后續(xù)高電壓擦除。在此基礎上，我們發(fā)展了應力、電和紅外光三種不同方式寫入的阻變存儲器件。另外，比較各個