DKDP晶體的全方位生長及其光學(xué)均勻性研究.pdf

1、DKDP晶體具有優(yōu)良的電光與非線性光學(xué)性能,是高功率固體激光系統(tǒng)中重要的光學(xué)器件材料.晶體的生長速度和晶體的質(zhì)量是目前研究的熱點.該文從晶體的生長動力學(xué)和生長速度的影響因素的實驗分析出發(fā),采用常溫溶液降溫法生長晶體,經(jīng)過多次實驗,得到如下晶體生長工藝:點狀籽晶(4×4×1mm<'3>)全方位生長晶體,降溫最高起始溫度45.3℃,溶液pD=3.8-4.3,降溫速度為0.2-1.5℃/day,平均生長速度最大為3.1mm/day.由此得到的

2、晶體動態(tài)消光比為4115:1-6944:1,激光損傷閾值為2.7-3.7 GW/cm<'2>,半波電壓為4400-5300V.從實驗的結(jié)果看出,在生長速度為0.8-3.1mm/day范圍內(nèi),晶體的生長速度對晶體光學(xué)均勻性及其他性能沒有太大的影響;原料的純度對晶體光學(xué)均勻性和其他性能的影響則比較明顯.利用同步輻射X射線白光形貌術(shù)研究晶體缺陷,樣品厚度為0.4mm,曝光時間為5-7s,樣品和底片的距離為90mm,得到的底片上斑點數(shù)量合適,并

3、且底片清晰.把底片放在光學(xué)顯微鏡下觀察,看到生長條紋、包裹體、裂紋和位錯等,分析了內(nèi)部缺陷產(chǎn)生的原因,從而探討了不同生長條件及生長階段對晶體完整性的影響,為進(jìn)一步完善晶體生長工藝提供了依據(jù).為了改善晶體的光學(xué)均勻性,分別在80℃和100℃對晶體進(jìn)行退火處理,溫度的變化是3℃/h,在最高溫度恒溫24h.退火后,晶體的透過率、消光比都得到不同程度的提高,激光損傷閾值無顯著變化.文中對于這些現(xiàn)象進(jìn)行了初步的討論.總之,該文對DKDP晶體的全方