弱磁場對柱面感性耦合等離子體參數(shù)徑向分布的影響.pdf

1、碩士學(xué)位論文弱磁場對柱面感性耦合等離子體參數(shù)徑向分布的影響TheEffectsofWeakMagneticFieldonRadialCharacteristicsProfileofCylindricalInductivelyCoupledPlasma學(xué)號：呈!!Q窒Q2魚完成日期：2Q!壘生魚旦大連理工大學(xué)DalianUniversityofTechnology大連理工大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要射頻感性耦合等離子體(InductivelyCo

2、upledPlasma，即射頻ICP)具有放電氣壓低、密度高、裝置簡單以及空間均勻性易于控制等優(yōu)點，因此在工業(yè)上廣泛應(yīng)用于微電子芯片和大尺寸平面顯示器的刻蝕工藝、半導(dǎo)體與光電子功能薄膜沉積、寬束強流離子源、全方位離子注入、化學(xué)合成以及晶體生長等領(lǐng)域。在射頻ICP研究中，如何提高等離子體空間均勻性一直是學(xué)者們關(guān)注的重要問題。本文對弱磁場中射頻感性耦合等離子體的等離子體參數(shù)徑向分布進(jìn)行研究。實驗中保持放電氣體(氬氣)、氣壓、等離子體吸收功率

3、、耦合天線(柱面線圈)等放電條件不變，在軸向外加不同強度、不同位形的弱磁場，使用自制Langmuir探針測量了耦合天線區(qū)域內(nèi)等離子體空間電位、電子溫度、電子密度等參數(shù)的徑向分布，說明對于柱面感性耦合等離子體如何配置外加磁場有利于提高均勻性。實驗結(jié)果表明，在軸向磁場位形下，隨著磁感應(yīng)強度增加，等離子體密度徑向分布逐漸向“中心低邊緣高“的中空分布演化。而在會切磁場位形下，會切磁場對等離子體有向磁場中性區(qū)內(nèi)壓縮的作用，使得等離子體密度徑向分布