電化學(xué)修飾銪離子摻雜類普魯士藍(lán)復(fù)合汞膜電極的制備及電分析應(yīng)用研究.pdf

1、本論文主要的工作是在玻璃碳基質(zhì)上進(jìn)行了新型銪離子摻雜類普類魯士藍(lán)復(fù)合汞膜電極的制備方法、伏安性能及電分析應(yīng)用研究。其主要研究目的是嘗試用類普魯士藍(lán)(PB)為底膜結(jié)合電沉積汞膜技術(shù)制備化學(xué)修飾型復(fù)合汞膜電極，并為這種無機(jī)多核過渡金屬氰化物導(dǎo)電薄膜復(fù)合電極的應(yīng)用找到了新的分析應(yīng)用領(lǐng)域。 本文利用電化學(xué)沉積法制備的銪離子摻雜類普魯士藍(lán)復(fù)合汞膜電極已成功建立了環(huán)境水樣中痕量鉛的差示脈沖陽極溶出伏安測定法和替硝唑藥物含量的方波伏安測定法。

2、該電極所呈現(xiàn)的顯著特點是靈敏度高、穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)和使用壽命長等優(yōu)點，具有潛在的應(yīng)用價值。 本論文共分為三部分： 第一部分：緒論 該部分主要綜述了常規(guī)汞電極的分類、產(chǎn)生、歷史發(fā)展及存在的問題，重點討論了汞膜電極的未來發(fā)展趨勢，特別是對化學(xué)修飾型復(fù)合汞膜電極產(chǎn)生的必然性、類型、制各及其電分析應(yīng)用等方面做了簡要的探討。此外，還概述了普魯士藍(lán)及類普魯士藍(lán)材料化學(xué)修飾電極的特點、性質(zhì)及其制備方法；重點歸納總結(jié)了普魯

3、士藍(lán)復(fù)合型修飾電極的分析應(yīng)用研究現(xiàn)狀，并對復(fù)合型普魯士藍(lán)化學(xué)修飾電極在電化學(xué)分析中的發(fā)展趨勢和應(yīng)用進(jìn)行了遠(yuǎn)景展望。共引用文獻(xiàn)128篇。 第二部分銪離子摻雜類普魯士藍(lán)復(fù)合汞膜電極的制備及伏安性能研究 以一定濃度的鉛離子為探針離子，采用電沉積法探索了制備銪離子摻雜類普魯士藍(lán)復(fù)合汞膜電極的各種實驗條件，包括內(nèi)層修飾液的組成，鍍汞前底膜的封尾及鍍汞的最佳模式和電位范圍。此外，還以一定濃度的鋅離子為探針離子，考察了PB-Eu/MF

4、E的氫過電位值，抗表面活性物質(zhì)干擾的能力以及電極的穩(wěn)定性。實驗結(jié)果表明，內(nèi)膜修飾液配方為：K<,3>Fe(CN)<,6>：FeCl<,3>：Eu<'3+>：鄰苯二甲酸氫鉀=1：1：2：1(pH=2.6)。首先，制備的PB-Eu/GCE須在0.1mol/LK<,2>SO<,4>溶液中活化；其次，PB-Eu/GCE在1ml 1×10<'5>mol/L KSCN+0.1mol/L KCl 7.5 ml+0.1mol/L HCl(pH=2.4)

5、混合液中封尾，再采用電沉積法以Hg(NO<,3>)2+KCl+ NH<,4>Ac+HAc (pH=2.0)混合液作為鍍汞底液預(yù)鍍汞膜即得PB-Eu/MFE電極。該電極在強(qiáng)酸性介質(zhì)中氫的過電位值超過-1.2V，且與玻碳汞膜電極相比，PB-Eu/MFE電極穩(wěn)定性高且具有一定的抗表面活性物質(zhì)干擾的能力。 第三部分銪離子摻雜類普魯士藍(lán)復(fù)合汞膜電極的應(yīng)用研究 該部分共分為兩章，內(nèi)容如下： 第一章銪離子摻雜類普魯士藍(lán)復(fù)合汞膜

6、電極陽極溶出伏安法測定環(huán)境水樣中的痕量鉛 以PB-Eu/MFE為工作電極，建立了差示脈沖陽極溶出伏安法測定環(huán)境水樣中Pb<'2+>含量的方法。實驗結(jié)果表明，在0.01 mol/L HNO<,3>底液中的，鉛在-0.472V(vs．SCE)處可產(chǎn)生一個陽極溶出峰，在-1.0 V僅需富集60s后，溶出峰電流與鉛的濃度在0.8～25μg/L(r=0.9995,n=12)之間有良好的線性關(guān)系，檢測下限為0.2μg/L(S/N=3)。該法

7、用于四類環(huán)境水樣中鉛的測定，平均回收率為97-104.5％，RSD為2.46-3.18％。制備的復(fù)合汞膜電極與玻碳汞膜電極相比具有更優(yōu)良的穩(wěn)定性，使用壽命長的特點，并且在富集時間與文獻(xiàn)報道相比短1/2～1/5的實驗條件下獲得較高靈敏度。 第二章銪離子摻雜類普魯士藍(lán)復(fù)合汞膜電極方波伏安法測定替硝唑 用銪離子摻雜類普魯士藍(lán)復(fù)合汞膜電極為工作電極，建立了應(yīng)用方波伏安法測定市售藥品中替硝唑(Tinidazole，簡稱TNZ)含量

8、的測定方法。結(jié)果表明，在BR(pH=6.0)緩沖溶液中，TNZ在-0.558V(Vs．SCE)能產(chǎn)生一個清晰的還原峰，它具有明顯的吸附波特性。在最佳測定條件下，恒電位富集1.5min時，其還原峰電流與TNZ的濃度在2.5×10<'-6>～5.0×10<'-4>mol/L(r=0.9992)和2.5×10<'-8>～7.5×10<'-7>mol/L(r=0.9994．)兩段濃度區(qū)間內(nèi)有良好的線性關(guān)系，最低檢測下限為2.0×10<'-9>m