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1、ZnO作為一種很重要的Ⅱ-Ⅵ氧化物半導(dǎo)體,在表面科學(xué)領(lǐng)域一直受到廣泛關(guān)注。自2001年,ZhengWeiPan等在Science上報(bào)道了ZnO納米帶的成功制備,低維ZnO'納米結(jié)構(gòu)(如納米線,納米帶等)的研究更是成為熱點(diǎn)。本文就是采用基于密度泛函理論(DFT)的VASP(Viennaab-initioSimulationPackage)程序包首先對(duì)ZnO的兩個(gè)極性面(000±1)和兩個(gè)非極性面(10(1)0)(11(2)0)進(jìn)行了系統(tǒng)的
2、第一性原理計(jì)算,得到ZnO體材料的一些有關(guān)數(shù)據(jù)。交換關(guān)聯(lián)項(xiàng)采用廣義梯度近似(GGA)下的PBE泛函形式,外層離子與內(nèi)層原子芯核的相互作用用投影擴(kuò)充波(PAW)來描述。 我們隨后還重點(diǎn)研究了ZnO的(0001)極性面對(duì)Sn、O(Zn)吸附情況。計(jì)算中我們采用的超級(jí)原胞模型由10個(gè)Zn、O雙層和約15(A)厚的真空層來組成,采用的真空層厚度大于10(A)的目的是為了后面的計(jì)算中隨著外來原子的吸附,通過適當(dāng)減小真空層厚度以保證超級(jí)原胞
3、體積一定;原胞表面為理想的(1×1)表面。通過比較幾種吸附體系的總能,我們得到Sn原子在(0001)面上的吸附能力大于O原子,而Zn原子卻很難在此面上吸附存在。在此基礎(chǔ)上我們又計(jì)算了Sn、O原子的再次吸附情況。從總能角度我們可以清晰看到:(0001)吸附Sn原子后再次吸附O原子比O原子直接在(0001)面上的吸附更加穩(wěn)定;而(0001)面再次吸附原子后的穩(wěn)定構(gòu)型是(0001)面先吸附O原子再吸附Sn原子的(0001)-O-Sn構(gòu)型,而不
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