應變GaN-Al-,x-Ga-,1-x-N柱形量子點中雜質態(tài)和極化子效應.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文在有效質量近似下，研究了無限高勢壘纖鋅礦結構應變GaN/AlxGa1-xN柱形量子點中的雜質態(tài)和極化子效應。
　　 首先，在有效質量近似下，采用變分原理考慮了量子點中由自發(fā)極化和壓電極化引起的強內建電場的影響，研究了應變GaN/AlxGa1-xN柱形量子點中的雜質態(tài)結合能.數(shù)值計算結果表明，強內建電場使電子和雜質向相反方向移動從而降低了雜質態(tài)結合能，進一步還研究了Al組分的影響，結果發(fā)現(xiàn)隨著Al組分的增加雜質態(tài)結合能將減小，

2、而且，對于小量子點的雜質態(tài)結合能不易受Al組分的影響，當量子點高度L<2nm時對于不同的Al組分雜質態(tài)結合能的變化非常小。
　　 其次，考慮了材料的單軸異性和內建電場后，采用變分方法研究了在無限高勢壘下應變GaN/AlxGa1-xN柱形量子點中的極化子效應，數(shù)值計算結果表明，極化子效應使雜質態(tài)結合能明顯降低，并且其主要貢獻來自于LO-like與雜質態(tài)的相互作用.同時雜質態(tài)結合能隨Al組分增加而有微小降低，且隨異性角的變化不是很明

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