壓力下應(yīng)變GaN-Al-,x-Ga-,1-x-N柱形量子點(diǎn)中雜質(zhì)態(tài)結(jié)合能.pdf

1、在有效質(zhì)量近似下,通過變分法研究了流體靜壓力下有限高應(yīng)變GaN/AlxGa1-xN柱形量子點(diǎn)中雜質(zhì)態(tài)結(jié)合能.
　　 首先,在有效質(zhì)量近似下利用變分原理計(jì)算了不考慮應(yīng)變時(shí)結(jié)合能隨量子點(diǎn)高度、半徑和雜質(zhì)位置以及A1組分的變化.數(shù)值計(jì)算表明,雜質(zhì)態(tài)結(jié)合能隨量子點(diǎn)半徑的增大而單調(diào)遞減,但隨量子點(diǎn)高度的增加將先增大到一極大值然后減小.當(dāng)雜質(zhì)位置在量子點(diǎn)中心時(shí)雜質(zhì)態(tài)的結(jié)合能最大,且A1組分的增加使雜質(zhì)態(tài)的結(jié)合能增大.
　　 隨后,我

2、們考慮了在量子點(diǎn)界面處由于晶格失配引起的強(qiáng)內(nèi)建電場以及應(yīng)變對(duì)材料物理參數(shù)的影響.另外,我們也考慮了流體靜壓力對(duì)應(yīng)變的調(diào)制作用.數(shù)值計(jì)算結(jié)果表明,雜質(zhì)態(tài)結(jié)合能隨量子點(diǎn)半徑的增大單調(diào)遞減,但隨著量子點(diǎn)高度L的增大先增大后減小,類似于不考慮應(yīng)變時(shí)的情形.此外,考慮流體靜壓力后結(jié)合能將會(huì)增大.通過計(jì)算我們得知,由應(yīng)變引起的內(nèi)建電場使雜質(zhì)態(tài)的結(jié)合能降低且在量子點(diǎn)尺度較大的時(shí)候影響顯著,而應(yīng)變對(duì)參數(shù)的影響會(huì)使雜質(zhì)態(tài)的結(jié)合能略有升高,且在量子點(diǎn)尺度較