磁場作用下橢圓量子環(huán)中施主雜質(zhì)及橢圓量子盤中電子的能態(tài)研究.pdf

1、本文在有效質(zhì)量近似下,利用數(shù)值對角化方法計算了橢圓量子環(huán)上單電子體系和施主雜質(zhì)體系的能態(tài)。計算結(jié)果表明,由于AB效應(yīng)在環(huán)內(nèi)的存在,單電子能態(tài)和施主雜質(zhì)能態(tài)隨磁場的增加出現(xiàn)振蕩,我們把這種振蕩稱為AB振蕩。單電子體系中,隨著橢圓量子環(huán)離心率的增加,環(huán)變的越來越扁,電子受到的空間束縛增強,能量逐漸增大,振蕩周期也增大。施主雜質(zhì)體系中,電子除了受到磁場和空間束縛的影響,還受到庫侖勢的作用。磁場較弱時,隨著離心率的增加,能量會逐漸降低,此時庫侖

2、勢占主導地位;而在磁場較強時,隨著離心率的增加,能量會逐漸增加,此時磁場占主導地位。隨著環(huán)變的越來越扁,體系的波函數(shù)在環(huán)上的分布也越來越不均勻,需要增加磁場來滿足周期性邊界條件,振蕩周期增加。
　　本文還利用精確求解特殊函數(shù)和數(shù)值對角化兩種方法計算了橢圓量子盤上無限深勢阱中單電子的能態(tài),并對結(jié)果進行分析,對兩種方法進行了比較。兩種方法得到的結(jié)論是比較吻合的。橢圓盤上單電子體系能級由階數(shù)m和徑向波節(jié)數(shù)n兩個量子數(shù)來描述,量子數(shù)m和n