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1、隨著微電子技術(shù)的快速發(fā)展,電路的集成度越來(lái)越高,線寬也越來(lái)越窄,從大規(guī)模集成電路發(fā)展到超大規(guī)模集成電路。銀相比其他金屬具有極低的電阻率和極好的熱傳導(dǎo)性,因此在微電子行業(yè)引起人們廣泛的關(guān)注。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)相比其他物理沉積技術(shù)有著獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)如:選擇性沉積、對(duì)薄膜密度以及厚度的可控性等等。這正是制備微電子電路所需的連續(xù)、均勻、具有良好階梯覆蓋率的高質(zhì)量銀薄膜互連材料的技術(shù)。而研制出適合于MOCVD技術(shù)的金屬有機(jī)配合物(前驅(qū)
2、體)是MOCVD技術(shù)中的關(guān)鍵。
本論文主要工作是設(shè)計(jì)以及制備兩大系列以有機(jī)膦穩(wěn)定的銀(I)配合物。以有機(jī)膦[PPh3、P(Oet)3、P(Ome)3]作為輔助配體,以丁二酰亞胺類化合物作為主要配體制備得到了兩個(gè)系列有機(jī)膦穩(wěn)定的丁二酰亞胺類的銀(I)配合物[(R3P)m×AgL,m=1,2or3;R=CH3O,CH3CH2O,Ph;L=C4H4O2N,C4H4NO3]。對(duì)制備得到的配合物用紅外光譜、核磁共振、元素分析以及X-
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