帶負(fù)電荷的施主量子點(diǎn)的理論研究.pdf

1、本文在有效質(zhì)量近似下應(yīng)用諧振子基變分法和Talmi-Moshinsky系數(shù)研究了帶負(fù)電的施主量子點(diǎn)的能譜問題。通過不同束縛勢(高斯勢與諧振勢)下帶負(fù)電的施主量子點(diǎn)的基態(tài)能譜，從理論上揭示了量子點(diǎn)束縛勢的形狀對(duì)受限少體系統(tǒng)的影響。全文共分為五章。 第一章序言，簡要介紹量子點(diǎn)在國內(nèi)外的研究現(xiàn)狀、性質(zhì)和應(yīng)用，以及理論研究方法。 第二章理論模型和方法，具體介紹了諧振子乘積基展開法，推導(dǎo)了二維N體系統(tǒng)的Talmi-Moshinsk

2、y變換系數(shù)。 第三章拋物勢場下帶負(fù)電的施主量子點(diǎn)研究，研究了處于外磁場中、束縛勢為拋物勢的帶負(fù)電的施主量子點(diǎn)系統(tǒng)，通過對(duì)變化的外加磁場強(qiáng)度下系統(tǒng)能譜的特征曲線進(jìn)行比較揭示了外加磁場對(duì)帶負(fù)電的施主量子點(diǎn)系統(tǒng)能級(jí)性質(zhì)的影響。 第四章高斯勢場下帶負(fù)電的施主量子點(diǎn)研究，由于高斯勢場具有有限的勢阱高度以及平緩變化的邊界情況，所以更為符合實(shí)際勢阱的情況。因此我們研究了處于外磁場中、束縛勢為高斯勢的帶負(fù)電的施主量子點(diǎn)系統(tǒng)，得出了諧振勢