簡(jiǎn)介：執(zhí)業(yè)藥師考試輔導(dǎo)執(zhí)業(yè)藥師考試輔導(dǎo)中藥藥劑學(xué)（中藥炮制學(xué)）中藥藥劑學(xué)（中藥炮制學(xué)）第1頁第四章第四章浸提、分離、精制、濃縮與干燥浸提、分離、精制、濃縮與干燥1～25分14大考點(diǎn)小單元細(xì)目要點(diǎn)1浸出過程與影響因素（1）中藥的浸出過程（2）影響浸提的主要因素2常用的浸提溶劑與浸提輔助劑（1）常用浸提溶劑的性質(zhì)、特點(diǎn)與應(yīng)用（2）常用浸提輔助劑及其應(yīng)用（一）浸提3常用浸提方法煎煮法、浸漬法、滲漉法、回流法、水蒸氣蒸餾法、超臨界流體提取法的特點(diǎn)與應(yīng)用續(xù)表小單元細(xì)目要點(diǎn)1常用分離方法（1）沉降分離法、離心分離法的特點(diǎn)與選用（2）濾過分離方式及影響濾過速度的因素（3）常用濾過方法與應(yīng)用（二）分離與精制2常用精制方法水提醇沉法、醇提水沉法、吸附澄清法、大孔樹脂吸附法、鹽析法、透析法的基本原理、應(yīng)用及操作要點(diǎn)續(xù)表小單元細(xì)目要點(diǎn)（三）濃縮影響濃縮的因素與常用濃縮方法（1）影響濃縮的因素（2）常壓濃縮、減壓濃縮的特點(diǎn)與應(yīng)用（3）薄膜濃縮的特點(diǎn)、常用設(shè)備與應(yīng)用（四）干燥影響干燥的因素與常用干燥方法（1）影響干燥的因素（2）常壓干燥、減壓干燥、沸騰干燥、噴霧干燥、紅外線干燥、微波干燥、冷凍干燥的特點(diǎn)與應(yīng)用第一節(jié)第一節(jié)浸提浸提學(xué)習(xí)要點(diǎn)學(xué)習(xí)要點(diǎn)1中藥浸出的3個(gè)過程2影響浸提的9大因素3常用浸提溶劑的性質(zhì)、特點(diǎn)與應(yīng)用4常用浸提輔助劑及其應(yīng)用56大浸提方法的特點(diǎn)與應(yīng)用浸提采用適當(dāng)?shù)娜軇┡c設(shè)備將中藥材中可溶性成分浸出的過程。浸提的目的執(zhí)業(yè)藥師考試輔導(dǎo)執(zhí)業(yè)藥師考試輔導(dǎo)中藥藥劑學(xué)（中藥炮制學(xué)）中藥藥劑學(xué)（中藥炮制學(xué)）第3頁課后思考題1為什么實(shí)際生產(chǎn)中藥材粒度不宜太細(xì)答①過細(xì)的粉末對(duì)藥液和成分的吸附量增加，造成有效成分的損失②大量組織細(xì)胞破裂，浸出的高分子雜質(zhì)增加③藥材粒度過細(xì)則提取液分離操作困難2如何增大濃度梯度答不斷攪拌、更換新溶劑，或強(qiáng)制循環(huán)浸出液，采用動(dòng)態(tài)提取、連續(xù)逆流提取二、常用的浸提溶劑與浸提輔助劑二、常用的浸提溶劑與浸提輔助劑1浸提溶劑2浸提輔助劑酸

簡(jiǎn)介：3030部必讀的投資學(xué)經(jīng)典部必讀的投資學(xué)經(jīng)典PDFPDF狀態(tài)狀態(tài)精華資源精華資源VERYCDVERYCD版主招募火熱投票中版主招募火熱投票中摘要摘要發(fā)行時(shí)間2006年語言簡(jiǎn)體中文時(shí)間時(shí)間5月1616日發(fā)布發(fā)布|6月2日更新更新分類分類資料資料電子圖書電子圖書統(tǒng)計(jì)統(tǒng)計(jì)152170152170次瀏覽瀏覽|22342234次收藏收藏收藏收藏相關(guān)相關(guān)?詳細(xì)內(nèi)容?相關(guān)資源?補(bǔ)充資源?用戶評(píng)論電驢資源電驢資源下面是用戶共享的文件列表，安裝電驢后，您可以點(diǎn)擊這些文件名進(jìn)行下載下面是用戶共享的文件列表，安裝電驢后，您可以點(diǎn)擊這些文件名進(jìn)行下載6262更新書目（英文版）更新書目（英文版）BEATINGTHESTREETPDFBEATINGTHESTREETPDF詳情詳情123MB123MBTECHNICALANALYSISOFTHEFINANCIALMARKETSPDFTECHNICALANALYSISOFTHEFINANCIALMARKETSPDF詳情詳情203MB203MBINVESTMENT6THEDITIONPDFINVESTMENT6THEDITIONPDF詳情詳情199MB199MB521521早更新書目（英文版）早更新書目（英文版）ARANDOMWALKDOWNWALLSTREETPDFARANDOMWALKDOWNWALLSTREETPDF詳情詳情49MB49MB無敵的分隔線無敵的分隔線3030部必讀的投資學(xué)經(jīng)典部必讀的投資學(xué)經(jīng)典PDFPDF詳情詳情36MB36MB【聰明的投資者】【聰明的投資者】PDFPDF詳情詳情57MB57MB【金融煉金術(shù)】【金融煉金術(shù)】PDFPDF詳情詳情82MB82MB【漫步華爾街】【漫步華爾街】PDFPDF詳情詳情128MB128MB【克羅談投資策略】【克羅談投資策略】PDFPDF詳情詳情23MB23MB【艾略特波浪理論】【艾略特波浪理論】PDFPDF詳情詳情69MB69MB【怎樣選擇成長(zhǎng)股】【怎樣選擇成長(zhǎng)股】PDFPDF詳情詳情55MB55MB【投資學(xué)】【投資學(xué)】PDFPDF詳情詳情975MB975MB【金融學(xué)】【金融學(xué)】PDFPDF詳情詳情118MB118MB【華爾街四十五年】【華爾街四十五年】RARRAR詳情詳情4MB4MB【投資藝術(shù)】【投資藝術(shù)】PDFPDF詳情詳情76MB76MB【股市趨勢(shì)技術(shù)分析【股市趨勢(shì)技術(shù)分析目錄】目錄】PDFPDF詳情詳情2MB2MB【股市趨勢(shì)技術(shù)分析】【股市趨勢(shì)技術(shù)分析】PDFPDF詳情詳情406MB406MB【金融市場(chǎng)技術(shù)分析】【金融市場(chǎng)技術(shù)分析】PDFPDF詳情詳情209MB209MB【笑傲股市】【笑傲股市】PDFPDF詳情詳情82MB82MB

簡(jiǎn)介：一、單選題共10000分1債券投資中的資本收益指的是_____。A債券票面利率與債券本金的乘積B買入價(jià)與賣出價(jià)之間的差額，且買入價(jià)大于賣出價(jià)C買入價(jià)與賣出價(jià)之間的差額，且買入價(jià)小于賣出價(jià)D債券持有到期獲得的收益正確答案C2以下不屬于股票收益來源的是_____。A現(xiàn)金股利B股票股利C資本利得D利息收入正確答案D3某投資者以10元一股的價(jià)格買入某公司的股票，持有一年分得現(xiàn)金股利為05元，則該投資者的股利收益率是_____。A4B5C6D7正確答案B4以下不屬于系統(tǒng)風(fēng)險(xiǎn)的是_____。A市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)B利率風(fēng)險(xiǎn)C違約風(fēng)險(xiǎn)D購買力風(fēng)險(xiǎn)A甲股票的風(fēng)險(xiǎn)程度大于乙股票的風(fēng)險(xiǎn)程度B甲股票的風(fēng)險(xiǎn)程度小于乙股票的風(fēng)險(xiǎn)程度C甲股票的風(fēng)險(xiǎn)程度等于乙股票的風(fēng)險(xiǎn)程度D不能確定正確答案A10下列不是衡量風(fēng)險(xiǎn)離散程度的指標(biāo)_____。A方差B標(biāo)準(zhǔn)離差C標(biāo)準(zhǔn)離差率D概率正確答案D11證券監(jiān)管原則不包括（）。A公平原則B合法原則C公正原則D公開原則正確答案B12（）是證券市場(chǎng)監(jiān)管部門的主要手段，具有較強(qiáng)的威懾力和約束力。A法律手段B經(jīng)濟(jì)手段C行政手段D市場(chǎng)手段正確答案A13在股票發(fā)行制度中，生效期后發(fā)行公司才可銷售股票的制度是______。A核準(zhǔn)制

簡(jiǎn)介：第2章貨幣資金教材練習(xí)題解析11發(fā)現(xiàn)短款時(shí)。借待處理財(cái)產(chǎn)損溢待處理流動(dòng)資產(chǎn)損溢100貸庫存現(xiàn)金1002查明是出納人員失責(zé),由其賠償時(shí)。借其他應(yīng)收款出納員100貸待處理財(cái)產(chǎn)損溢待處理流動(dòng)資產(chǎn)損溢10021企業(yè)在外埠開立臨時(shí)賬戶,委托銀行將60000元匯往采購地。借其他貨幣資金外埠存款60000貸銀行存款600002采購員以外埠存款購買材料,價(jià)款40000元,增值稅6400元,材料已驗(yàn)收入庫。借原材料40000應(yīng)交稅費(fèi)應(yīng)交增值稅進(jìn)項(xiàng)稅額6400貸其他貨幣資金外埠存款464003采購結(jié)束,余款13600元收妥入賬。借銀行存款13600貸其他貨幣資金外埠存款136003編制銀行存款余額調(diào)節(jié)表,如表21所示。表21銀行存款余額調(diào)節(jié)表第3章存貨教材練習(xí)題解析1編制會(huì)計(jì)分錄如下1借在途物資甲材料10300應(yīng)交稅費(fèi)應(yīng)交增值稅進(jìn)項(xiàng)稅額1600貸銀行存款119002借原材料甲材料10300貸在途物資甲材料103003乙材料貨款不含稅價(jià)3480011630000元丙材料貨款不含稅價(jià)2320011620000元乙材料應(yīng)負(fù)擔(dān)的運(yùn)費(fèi)3003002001000600元可抵扣增值稅6001060元丙材料應(yīng)負(fù)擔(dān)的運(yùn)費(fèi)2003002001000400元可抵扣增值稅4001040元乙材料應(yīng)負(fù)擔(dān)的保險(xiǎn)費(fèi)3000030000200001500900元丙材料應(yīng)負(fù)擔(dān)的保險(xiǎn)費(fèi)2000030000200001500600元進(jìn)項(xiàng)稅額48003200100908190元

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簡(jiǎn)介：微電子工藝學(xué)第一章緒論第一章緒論第二章現(xiàn)代第二章現(xiàn)代CMOS工藝技術(shù)第三章晶體生長(zhǎng)與襯底制備工藝技術(shù)第三章晶體生長(zhǎng)與襯底制備第四章第四章加工環(huán)境與基片清洗加工環(huán)境與基片清洗第四章第四章加工環(huán)境與基片清洗加工環(huán)境與基片清洗第五章光刻第六章熱氧化第五章光刻第六章熱氧化第七章擴(kuò)散摻雜第八章離子注入摻雜第七章擴(kuò)散摻雜第八章離子注入摻雜第九章薄膜淀積第十章刻蝕第九章薄膜淀積第十章刻蝕第十一章第十一章后段工藝與集成后段工藝與集成1第十一章第十一章后段工藝與集成后段工藝與集成1摻雜在微電子器件中的應(yīng)用摻雜在微電子器件中的應(yīng)用雜質(zhì)固溶度決定雜質(zhì)固溶度決定硅晶格生長(zhǎng)的雜質(zhì)決定硅晶格生長(zhǎng)的雜質(zhì)決定摻入的雜質(zhì)是電活性的，能提供所需的載流子，使許多微結(jié)構(gòu)和器件摻入的雜質(zhì)是電活性的，能提供所需的載流子，使許多微結(jié)構(gòu)和器件得以實(shí)現(xiàn)得以實(shí)現(xiàn)。摻雜的最高極限約摻雜的最高極限約1021ATOMS/CM3，最低最低1013ATOMS/CM3。晶片器件作用雜質(zhì)晶片器件作用雜質(zhì)隱埋區(qū)隱埋區(qū)SB,AS得以實(shí)現(xiàn)得以實(shí)現(xiàn)。摻雜的最高極限約摻雜的最高極限約，最低最低。硅雙極型晶體管及其雙極型晶體管及其IC隱埋區(qū)隱埋區(qū),隔離區(qū)隔離區(qū)B,AL基區(qū)基區(qū)B,P發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)PASPASB硅發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)P,AS,PAS,B電阻電阻BP開關(guān)管及高速開關(guān)管及高速IC提高開關(guān)速度提高開關(guān)速度AU,PTMOS晶體管及其晶體管及其IC源、漏、溝道、阱源、漏、溝道、阱BP,AS砷化鎵砷化鎵MISIC，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其IC半絕緣區(qū)半絕緣區(qū)H,O,CR源、漏ZN,BES,SI,SN3源、漏,,,鍺PNP管集電區(qū)、發(fā)射區(qū)管集電區(qū)、發(fā)射區(qū)INGA,AL

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簡(jiǎn)介：第一章第一章生態(tài)學(xué)和經(jīng)濟(jì)學(xué)都是研究資源的稀缺性。對(duì)錯(cuò)答案對(duì)正確美國學(xué)者克羅伯和克拉克洪對(duì)文化下了一個(gè)多數(shù)學(xué)者都能接受的定義，那就是，文化是指人類修養(yǎng)的積累。對(duì)錯(cuò)答案錯(cuò)正確熊貓的拇指并不適合抓握竹子，因?yàn)樗怯赏蠊沁M(jìn)化來的，遠(yuǎn)不如拇指用起來方便。這說明熊貓的進(jìn)化適應(yīng)是不完美的。對(duì)錯(cuò)答案對(duì)正確單選題16/16分?jǐn)?shù)單選題1生態(tài)學(xué)是研究生物和_____之間作用關(guān)系的科學(xué)。生物人文環(huán)境環(huán)境正確天敵2第一位提出“ECOLOGY”術(shù)語的人是______。海克爾?？藸栒_梭羅達(dá)爾文亞里士多德3美國耶魯大學(xué)的生態(tài)學(xué)家LINDEMAN提出了生態(tài)學(xué)中能量流動(dòng)的_____?；羝战鹚苟煞痘舴蚨砂惗墒种欢墒种欢烧_4舟山漁場(chǎng)處于典型的______。3句子，可以說是字的生態(tài)環(huán)境。對(duì)對(duì)正確錯(cuò)4早在100多年前，我國云南就有大面積的亂砍濫伐現(xiàn)象。對(duì)對(duì)正確錯(cuò)5冬季，林蛙的肝臟將大量的葡萄糖注入血液，使血糖含量升高幾百倍，即使體內(nèi)有70的水分結(jié)成冰也能安然無恙。對(duì)對(duì)正確錯(cuò)6素食有利于減少有毒物質(zhì)的攝入，其原因在于，素食便宜，有利于飲食安全。對(duì)錯(cuò)錯(cuò)正確7從生態(tài)位角度看，不同人有不同的職業(yè)及工作模式，沒有最適合，只有最好。對(duì)錯(cuò)錯(cuò)正確8動(dòng)物的應(yīng)激反應(yīng)對(duì)動(dòng)物生存而言永遠(yuǎn)是有益的。對(duì)錯(cuò)錯(cuò)正確9達(dá)爾文認(rèn)為種群對(duì)環(huán)境的適應(yīng)是（自然選擇/物競(jìng)天擇/NATURALSELECTION/優(yōu)勝劣汰）的結(jié)果，解釋了物種適應(yīng)的本質(zhì)。對(duì)對(duì)正確錯(cuò)第二章第二章身土不二，是指吾身出于此土，身土不可分離。

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簡(jiǎn)介：第一章緒論第二章現(xiàn)代第一章緒論第二章現(xiàn)代CMOS工藝技術(shù)第三章晶體生長(zhǎng)與襯底制備工藝技術(shù)第三章晶體生長(zhǎng)與襯底制備第四章加工環(huán)境與基片清洗第五章光刻第六章熱氧化第七章擴(kuò)散摻雜第八章離子注入摻雜第九章薄膜淀積第十章刻蝕第十一章后段工藝與集成第四章加工環(huán)境與基片清洗第五章光刻第六章熱氧化第七章擴(kuò)散摻雜第八章離子注入摻雜第九章薄膜淀積第十章刻蝕第十一章后段工藝與集成1微電子工藝學(xué)41概述概述隨著器件尺寸縮小，污染控制的重要性不斷增加隨著器件尺寸縮小，污染控制的重要性不斷增加3ITRSROADMAP保證保證90成品率所必需成品率所必需局部光散射柵氧化層完整性局部光散射柵氧化層完整性????12

簡(jiǎn)介：第一章緒論第二章現(xiàn)代第一章緒論第二章現(xiàn)代CMOS工藝技術(shù)第三章晶體生長(zhǎng)與襯底制備工藝技術(shù)第三章晶體生長(zhǎng)與襯底制備第四章加工環(huán)境與基片清洗第五章光刻第六章熱氧化第七章擴(kuò)散摻雜第八章離子注入摻雜第四章加工環(huán)境與基片清洗第五章光刻第六章熱氧化第七章擴(kuò)散摻雜第八章離子注入摻雜第九章薄膜淀積第十章刻蝕第十一章后段工藝與集成第九章薄膜淀積第十章刻蝕第十一章后段工藝與集成1微電子工藝學(xué)1HASPECTRATIOARWNOTETHEASPECTRATIOSANDTHENEEDFORNEWMATERIALSNOTEALSOTHENUMBEROFMETALLAYERSREQUIRINGMOREDEPOSITIONSTEPSYEAROFPRODUCTION199820002002200420072010201320162018TECHNOLOGYNODEHALFPITCH250NM180NM130NM90NM65NM45NM32NM22NM18NMMPUPRINTEDGATELENGTH100NM70NM53NM35NM25NM18NM13NM10NMMINMETAL1PITCHNM214152108765442WIRINGLEVELSLOGIC101112121414METAL1ASPECTRATIOCU171718192020CONTACTASPECTRATIODRAM151620202020STITRENCHASPECTRATIO48597910314164METALRESISTIVITY祇HMCM33,222222222222222222INTERLEVELDIELECTRICCONSTANT393737272421191717METALLINEACONTACTHOLEBWHWH3↑WITHFEATURESIZE↓INICS

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多分析化學(xué)（第四版）導(dǎo)教·導(dǎo)學(xué)·導(dǎo)考--盧榮 高新等編著精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：經(jīng)濟(jì)學(xué)原理（上）中國故事2019超星爾雅完整答案題庫盡在選修網(wǎng)課免費(fèi)查題網(wǎng)址【W(wǎng)WWQUCHAPCNWWWQUCHAPCN】經(jīng)濟(jì)學(xué)最好的定義是對(duì)（）的研究。社會(huì)如何管理其稀缺資源說“資源是稀缺的”是指（）。相對(duì)于資源的需求而言,資源總是不足的人們?cè)谶M(jìn)行決策時(shí),必須作出某種選擇,這是因?yàn)椋ǎ?。人們?cè)谶M(jìn)行決策時(shí)面臨的資源是有限的經(jīng)濟(jì)物品是有用且稀缺的物品。（）是下列問題（）是經(jīng)濟(jì)學(xué)研究不會(huì)涉及的問題。中國傳統(tǒng)文化的現(xiàn)代化問題以下所有話題都在微觀經(jīng)濟(jì)學(xué)研究范圍之內(nèi),除了（）。政府預(yù)算赤字對(duì)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的影響篇幅有限，完整版最新最全免費(fèi)查答案【W(wǎng)WWQUCHAPCN】打開瀏覽器輸入網(wǎng)址即可。最新選修網(wǎng)課永久免費(fèi)查題HTTP//WWWCHAOXING360COM/APP/DOWNLOADHTML原微信公眾號(hào)【書呆子校園】APP版，覆蓋原有公眾號(hào)所有功能，同時(shí)增加拍照搜題，語音搜題功能等更多黑科技，趕快戳我下載吧注內(nèi)涵大量淘寶天貓等內(nèi)部隱藏優(yōu)惠券，自用省錢，分享賺傭金喲，更多驚喜等你解鎖經(jīng)濟(jì)物品是指（）。有用且稀缺的物品生產(chǎn)什么、如何生產(chǎn)、為誰生產(chǎn)的問題是微觀經(jīng)濟(jì)學(xué)所考察的問題。（）是經(jīng)濟(jì)學(xué)研究社會(huì)如何管理自己的（）。稀缺資源經(jīng)濟(jì)學(xué)研究人們?nèi)绾巫龀鰶Q策的“人們”,包括的個(gè)體是（）。消費(fèi)者生產(chǎn)者勞動(dòng)力市場(chǎng)可以看作是工資和閑暇之間的TRADEOFF。（）是下列政府活動(dòng)的動(dòng)機(jī)屬于關(guān)注效率的是（）。把標(biāo)準(zhǔn)石油公司擁有90煉油廠分拆為幾個(gè)較小公司從經(jīng)濟(jì)學(xué)角度看,個(gè)人的儲(chǔ)蓄是一個(gè)跨期的行為。（）是經(jīng)濟(jì)學(xué)中片面的追求平等或者效率都是不可取的。（）是你去看一場(chǎng)電影的機(jī)會(huì)成本是（）。去看電影所需要的所有現(xiàn)金支出加上你的時(shí)間的價(jià)值邊際變動(dòng)（）。是對(duì)現(xiàn)有計(jì)劃的微小增量改變你在比賽中贏得100美元,可以選擇花掉或者在利率為5的銀行賬戶存一年。如果花掉,機(jī)會(huì)成本是（）。105美元時(shí)間的利用隱含著機(jī)會(huì)成本。（）是機(jī)會(huì)成本是指將一種資源用于某種用途,而未用于其他用途所放棄的最小預(yù)期收益。（）否下列說法不正確的是（）。理性人通過比較成本和收益做出決策后,當(dāng)激勵(lì)引起成本或者收益變動(dòng)時(shí),他們行為不再改變下列說法正確的有（）。理性人是經(jīng)濟(jì)研究中所假設(shè)的、在一定條件下具有典型理性行為的經(jīng)濟(jì)活動(dòng)主體。（）理性人通過比較成本和收益做出決策后,當(dāng)成本或者收益變動(dòng)時(shí),他們行為不再改變。（）下列說法正確的是（）。貿(mào)易使各國可以專門從事自己最擅長(zhǎng)的活動(dòng),并享有種類更多的物品與服務(wù)。（）亞當(dāng)斯密看不見的手是指（）。由市場(chǎng)配置資源意味著（）。市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)中,中央計(jì)劃者的決策對(duì)眾多企業(yè)和家庭決策取代,他們?cè)谑袌?chǎng)上相互交易,決策不再受價(jià)格引導(dǎo)。（）政府可能為了（）而對(duì)市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)進(jìn)行干預(yù)。下列說法正確的是（）。政府干預(yù)經(jīng)濟(jì)的原因通常有促進(jìn)效率和促進(jìn)平等兩類。（）經(jīng)濟(jì)學(xué)家用市場(chǎng)失靈來指市場(chǎng)本身不能有效配置資源的情況。（）如果一個(gè)國家有高且持久的通貨膨脹,最有可能的解釋是（）。當(dāng)一個(gè)政府發(fā)行了大量本國貨幣時(shí),貨幣的價(jià)值就下降了。（）人們通常認(rèn)為通貨膨脹與失業(yè)之間存在短期交替關(guān)系。（）下列行為涉及市場(chǎng)失靈的類型屬壟斷的是（）。下列政府活動(dòng)的動(dòng)機(jī)屬于關(guān)注平等的是（）。下列說法正確的有（）。

簡(jiǎn)介：第一章緒論第二章現(xiàn)代第一章緒論第二章現(xiàn)代CMOS工藝技術(shù)第三章晶體生長(zhǎng)與襯底制備工藝技術(shù)第三章晶體生長(zhǎng)與襯底制備第四章加工環(huán)境與基片清洗第五章光刻第六章熱氧化第七章擴(kuò)散摻雜第八章離子注入摻雜第九章薄膜淀積第四章加工環(huán)境與基片清洗第五章光刻第六章熱氧化第七章擴(kuò)散摻雜第八章離子注入摻雜第九章薄膜淀積第十章刻蝕第十一章后段工藝與集成第十章刻蝕第十一章后段工藝與集成1微電子工藝學(xué)1刻蝕速率刻蝕速率RETCHRATE單位時(shí)間的刻蝕厚度，典型值為幾百至幾千單位時(shí)間的刻蝕厚度，典型值為幾百至幾千?/MIN?？涛g均勻性?？涛g均勻性ETCHUNIFORMITY個(gè)基片內(nèi)不同地方或幾個(gè)基片之間刻蝕速率變化的百分比個(gè)基片內(nèi)不同地方或幾個(gè)基片之間刻蝕速率變化的百分比選擇性選擇性SSELECTIVITY刻蝕液對(duì)不同材料刻蝕速率的比值刻蝕液對(duì)不同材料刻蝕速率的比值各項(xiàng)異性度各項(xiàng)異性度AFANISOTROPY沿襯底表面橫向與縱向刻蝕速率的差異，沿襯底表面橫向與縱向刻蝕速率的差異，0≤A≤1掩膜層下刻蝕掩膜層下刻蝕UNDERCUT橫向單邊的過腐蝕量橫向單邊的過腐蝕量刻蝕品質(zhì)因素（刻蝕品質(zhì)因素（FIGURESOFMERIT）12RSR3待刻材料的刻蝕速率待刻材料的刻蝕速率待刻材料的刻蝕速率待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率LATVER1FRAR?橫向刻蝕速率橫向刻蝕速率橫向刻蝕速率橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率縱向刻蝕速率縱向刻蝕速率縱向刻蝕速率