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文檔簡介
1、聚硅烷是由特殊σ-共軛結(jié)構(gòu)的Si-Si單鍵組成的一類高分子聚合物。包括線型聚硅烷和環(huán)狀聚硅烷兩類。聚硅烷因Si原子有3d空軌道,使得主鏈上的σ-電子廣泛離域,因而具有獨特的導(dǎo)電性能。聚乙炔是主鏈具有π-共軛結(jié)構(gòu)的線性聚合物,經(jīng)過化學(xué)或電化學(xué)摻雜后,聚乙炔可以形成n-型、P-型的半導(dǎo)體,導(dǎo)電性可以比擬金屬的導(dǎo)電性。將環(huán)狀聚硅烷與聚乙炔有機結(jié)合起來對其進行理論研究,有目的地組合配置σ-π離域的各級結(jié)構(gòu),將對開發(fā)新型導(dǎo)電高分子材料具有非常重要
2、的研究意義。
本文首先利用Gaussian03程序包在6-31+G*基組下對環(huán)狀聚硅烷與聚乙炔的共聚物(SinC4)kk=1~4;n=3~6進行幾何優(yōu)化,然后在優(yōu)化構(gòu)型下應(yīng)用ATK程序包,結(jié)合非平衡格林函數(shù)和密度泛函理論,對實驗系統(tǒng)電子導(dǎo)電性能進行了理論計算,得到電流-電壓曲線,結(jié)果發(fā)現(xiàn):在(SinC4)k中隨著n的增大,體系的導(dǎo)電性能呈逐漸降低的趨勢;在(SinC4)k中隨著k的增大,體系的導(dǎo)電性能呈逐漸降低的趨勢,這些變化
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