Cr(Ⅵ)陰離子熒光印跡傳感微球的制備與性能測(cè)試.pdf

1、六價(jià)鉻是國際公認(rèn)的致癌物，主要是通過不合理的排放而進(jìn)入環(huán)境，污染水體和土壤環(huán)境，對(duì)人類健康和生態(tài)環(huán)境造成嚴(yán)重威脅。傳統(tǒng)方法的處理不僅原料需求大成本高，且處理后的污水中Cr(Ⅵ)含量依然相對(duì)較高。出于成本以及重復(fù)利用率的考慮，用吸附法處理含鉻廢水是更為可行的方法。離子印跡技術(shù)作為一種新型的吸附方法，具有吸附容量高、選擇性好和可重復(fù)利用等優(yōu)點(diǎn)，廣泛引起了研究者的關(guān)注。
　　因此本文主要運(yùn)用蒸餾沉淀法和表面印跡聚合法合成了Cr(Ⅵ)印跡

2、聚合物，分別運(yùn)用二氧化硅、四氧化三鐵為聚合母體，采用FT-IR、SEM、TEM、TG和EDX能譜法對(duì)印跡聚合物進(jìn)行了表征，研究它們的吸附性能。
　　1.采用普通沉淀聚合法，以Cr2O72-、為模板，4-乙烯基吡啶(4-VP)為功能單體，乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)為交聯(lián)劑、異丙醇/水溶液為溶劑，合成了Cr(Ⅵ)離子印跡聚合物。重點(diǎn)研究了共聚單體、交聯(lián)劑和溶劑的種類及用量等合成因素對(duì)Cr2O72-離子印跡聚合物吸附性能的影響。

3、吸附實(shí)驗(yàn)考察了離子印跡聚合物對(duì)模板離子的選擇性，結(jié)果表明，Cr(Ⅵ）印跡聚合物對(duì)Cr離子吸附量為54.25 mg/g。
　　2.以二氧化硅(SiO2)為聚合母體，以二乙烯基苯(DVB)為交聯(lián)劑，N-乙烯基咔唑(NVC)為功能單體，利用沉淀聚合法制備了Cr(Ⅵ)離子印跡聚合物微球。實(shí)驗(yàn)考察了熒光恢復(fù)強(qiáng)度和吸附Cr(Ⅵ)量之間的關(guān)系、交聯(lián)劑和功能單體用量等對(duì)微球的影響，確定了最佳聚合條件。吸附實(shí)驗(yàn)考察了離子印跡聚合物對(duì)Cr2O72-的