多級(jí)閃存的數(shù)據(jù)表示方案及差錯(cuò)控制技術(shù)研究.pdf

1、閃存是一種新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它憑借高密度、高存儲(chǔ)速度、低成本和防震等優(yōu)點(diǎn)，成為了當(dāng)前主流的固態(tài)存儲(chǔ)器。然而隨著人們對(duì)存儲(chǔ)密度需求的不斷加大，早期的單級(jí)閃存逐漸被多級(jí)閃存所取代，多級(jí)閃存的單元密度更高，同時(shí)它的單元間干擾也更大，相鄰點(diǎn)位差的減少也使得錯(cuò)誤較單級(jí)閃存更容易發(fā)生了。這種改變使閃存的壽命與數(shù)據(jù)可靠性面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，而差錯(cuò)編碼方案正是提高閃存數(shù)據(jù)可靠性的有效途徑。
　　傳統(tǒng)的差錯(cuò)控制技術(shù)大多是基于磁盤(pán)的物理特性進(jìn)行設(shè)計(jì)的，

2、如果將它們直接應(yīng)用于閃存的差錯(cuò)控制編碼，不但效率低，而且還有可能出現(xiàn)意料之外的錯(cuò)誤。其原因在于磁盤(pán)與閃存在物理結(jié)構(gòu)、存取方式、錯(cuò)誤類(lèi)型等方面都有較大差異。而且由傳統(tǒng)糾錯(cuò)碼直接演變出的糾錯(cuò)碼在應(yīng)用于多級(jí)閃存時(shí)效果并不理想，而且它無(wú)法貼合物理特性解決多級(jí)閃存特有的錯(cuò)誤，所以對(duì)閃存的差錯(cuò)控制技術(shù)不光需要從編碼上研究，還需要對(duì)數(shù)據(jù)表示方案加以改進(jìn)。
　　本文對(duì)多級(jí)閃存的差錯(cuò)控制技術(shù)與數(shù)據(jù)表示方案進(jìn)行了研究，基于新型的等級(jí)調(diào)制方案（Rank

3、 Modulation Scheme），提出了一種自由前綴碼的遞歸構(gòu)造方法。本文的主要工作概括如下：
　　1.概括了閃存的物理存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，介紹了NAND型閃存的主要糾錯(cuò)技術(shù)，詳細(xì)分析了NAND型閃存的操作模型與噪聲類(lèi)型，并且對(duì)NAND型多級(jí)閃存下的BCH編譯碼方案進(jìn)行研究。
　　2.針對(duì)有限大小錯(cuò)誤（Limited-Magnitude Errors）信道模型，通過(guò)計(jì)算分析，得到了NAND型多級(jí)閃存的閾值電壓分布與干擾噪聲的關(guān)系