版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、柔性低電壓高性能有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究對(duì)于實(shí)現(xiàn)柔性低功耗,大面積制備有機(jī)電子器件和存儲(chǔ)器件起著至關(guān)重要的作用。目前廣泛研究的柔性有機(jī)晶體管存在制備工藝復(fù)雜,操作電壓較大,遷移率較低等問(wèn)題,制備得到的柔性有機(jī)晶體管也面臨著在實(shí)際電路中運(yùn)用的穩(wěn)定性問(wèn)題,例如偏壓穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性以及機(jī)械穩(wěn)定性等,因此研究利用簡(jiǎn)便的旋涂聚合物材料制備可實(shí)現(xiàn)低電壓操作并具備高遷移率高穩(wěn)定性的柔性晶體管具有重要意義。
基于課題組前期工作研究,我們以PET
2、作為柔性襯底,研究不同絕緣層的制備工藝,通過(guò)對(duì)比分析絕緣層的粗糙度和接觸角,并五苯生長(zhǎng)形貌和器件的電學(xué)性能,不斷的優(yōu)化實(shí)驗(yàn)找到了最優(yōu)的絕緣層結(jié)構(gòu)。最優(yōu)結(jié)果為采用PMMA/PVP/PMMA作為絕緣層,采用并五苯作為有機(jī)半導(dǎo)體層制備了可實(shí)現(xiàn)柔性低電壓高性能的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。器件工作電壓在5V以內(nèi),遷移率可達(dá)到1.2 cm2/Vs,閾值電壓為-1.3 V,開(kāi)關(guān)比為106,達(dá)到了可以驅(qū)動(dòng)低壓設(shè)備的性能標(biāo)準(zhǔn)。單層的PMMA絕緣層器件存在遷移率較
3、低和不穩(wěn)定的問(wèn)題,加入PVP修飾后性能得到提高,但由于PVP材料的問(wèn)題帶來(lái)了回滯問(wèn)題。三層絕緣層結(jié)構(gòu)中,頂層的PMMA為疏水性絕緣層,不僅進(jìn)一步降低了絕緣層整體的粗糙度,改善了絕緣層的親水性問(wèn)題,隔絕了空氣中水氧和半導(dǎo)體層電荷進(jìn)入絕緣層導(dǎo)致的器件性能不穩(wěn)定。從AFM上可知,三絕緣層為無(wú)孔光滑的絕緣層,其上生長(zhǎng)的并五苯晶粒最大,相應(yīng)的載流子遷移率也最大。我們分別對(duì)器件進(jìn)行了偏壓測(cè)試,熱穩(wěn)定測(cè)試和機(jī)械穩(wěn)定性測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明三層絕緣層的器件
4、具有最好的耐偏壓性能,在5 V偏壓下作用1200 s輸出電流沒(méi)有明顯的衰減,施加偏壓前后器件的閾值電壓變化只有0.07 V。對(duì)器件進(jìn)行熱穩(wěn)定測(cè)試,從20℃一直加熱到120℃,每種溫度均加熱2小時(shí),保證器件充分受熱。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明三絕緣層器件可承受100℃的高溫2小時(shí)并且在高溫下仍然具有良好的器件性能,對(duì)于加熱后的電學(xué)性能的變化進(jìn)行詳細(xì)分析,并提出了相應(yīng)的機(jī)理解釋實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。機(jī)械穩(wěn)定性測(cè)試中我們分別采用不同的彎曲方式垂直溝道和平行溝道,不同的
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管絕緣層表面修飾的研究.pdf
- 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管絕緣層材料的設(shè)計(jì)、制備及性能研究.pdf
- 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及有機(jī)光敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備與研究.pdf
- 疊層結(jié)構(gòu)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備與研究.pdf
- 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研制.pdf
- 柔性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)器件性能的研究.pdf
- 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究與試制.pdf
- 有源層摩擦取向?qū)τ袡C(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的影響.pdf
- 垂直構(gòu)型有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究.pdf
- 溶液化制備有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究.pdf
- 噴墨印刷制備有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究.pdf
- 并三苯有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研制.pdf
- 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 并五苯有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究.pdf
- 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFETs)器件的制備及特性研究.pdf
- 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管氣體傳感器制備工藝的研究.pdf
- 基于Pentacene層厚對(duì)C60有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管功能調(diào)控的研究.pdf
- 場(chǎng)效應(yīng)晶體管90069
- 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路仿真模型的研究.pdf
- 基于溶液化方法制備有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論