200mm BESOI晶圓片關(guān)鍵制備技術(shù)與工藝.pdf

1、SOI(Silicon on Insulator)是指絕緣體上的硅。隨著超大規(guī)模集成電路向納米工藝的推進,芯片制造業(yè)遇到了前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn),其中體硅材料的寄生電容效應(yīng)和襯底電流對制造高速度、高性能器件造成了很大阻礙,而用SOI(Silicon On Insulator)材料制備的器件具有低寄生電容、低漏電流、低工作電壓、低功耗等優(yōu)點,由此SOI技術(shù)應(yīng)運而生。目前,該技術(shù)在低壓/低功耗、超大規(guī)模集成電路、高壓功率器件、微機電系統(tǒng)(MEM

2、S)、光子器件等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,是微電子及光電子領(lǐng)域的前沿技術(shù)之一。
　　本論文就是在這個背景下,依托上海新傲科技股份有限公司平臺,展開相關(guān)領(lǐng)域的研究工作,本文在已有200mm BESOI工藝條件基礎(chǔ)上,著重研究了:1)重?fù)揭r底上輕摻外延層的技術(shù)優(yōu)化2)低溫鍵合工藝優(yōu)化3)腐蝕減薄方法的探索4)傳統(tǒng)化學(xué)機械拋光工藝優(yōu)化及應(yīng)用。獲得的主要成果如下:
　　1)重?fù)揭r底上輕摻外延層,由于擴散因素會造成一定的過渡區(qū)域,通過一定