低劑量超薄SIMOX圓片制備技術的應用研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、絕緣體上的硅(SOI)技術以其獨特的結構在低壓、低功耗電路,高溫、抗輻照器件以及集成光電子器件方面有著廣泛的應用.注氧隔離(SIMOX)技術是制備SOI材料最成功的技術之一.過去SIMOX制備SOI材料通常是采用高劑量高能量的注入方法,然而高劑量的SIMOX材料頂層Si的線位錯密度過高,影響了它的應用.另外,由于過長的注入時間也導致了生產成本攀高.這是SOI材料在微電子工業(yè)上大規(guī)模商業(yè)化應用的一個致命缺點.隨著SIMOX技術的發(fā)展,人們

2、發(fā)展了低劑量注入(通常劑量小于1.0×1.0<'18>ions/cm<'2>),近來它越來越引起人們的重視.低劑量SIMOX材料,其隱埋氧化物層(BOX)通常在50-200nm,具有技術上和經濟上巨大的優(yōu)勢.與高劑量SIMOX相比,它能夠提高產量50-300﹪.低劑量SIMOX還能夠大幅度降低線位錯密度、熱導率,提高器件性能.為了保證SOI器件高性能和高可靠性,要求BOX層的質量很高,除了BOX層的上下界面平整、陡峭外,BOX層中的針孔

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