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1、壓敏電阻器由于其優(yōu)異的電學(xué)非線性和消耗余能量的能力,在電子元器件的保護(hù)、避雷器和輸電線路過壓保護(hù)等方面得到了廣泛的應(yīng)用.壓敏電阻器壓敏特性來源于晶界缺陷勢(shì)壘對(duì)載流子輸運(yùn)的影響,作者在此基礎(chǔ)上通過對(duì)缺陷勢(shì)壘的分析,闡釋了攙雜和其它制備工藝以其壓敏特性的影響.研究中發(fā)現(xiàn),對(duì)于TiO<,2>系列壓敏電阻,只需施主攙雜提高晶粒電導(dǎo)率即可實(shí)現(xiàn)晶粒的半導(dǎo)化,陶瓷已能呈現(xiàn)比產(chǎn)理想的壓敏特性,攙加大離子半徑的受主攙雜后,由于籽減小大尺寸的受主離子攙雜引
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