含有雙層絕緣層的有機薄膜晶體管.pdf

1、載流子的有效平衡注入和傳輸是實現(xiàn)有機激光器的主要難題。人們通過優(yōu)化界面態(tài)、新材料的運用和加入傳輸層來減小有效勢壘來提高載流子的注入。但是，我們必須不僅是增大載流子的注入效率還要設(shè)計出可行的器件結(jié)構(gòu)?！　∮脠鲂?yīng)實現(xiàn)有效的歐姆接觸，形成二維的電子空穴氣來注入高的載流于密度以滿足在有機單晶中產(chǎn)生激射的要求.這個FET的新結(jié)構(gòu)，它能控制載流子平衡有效注入，是獲得有機激光輸出的關(guān)鍵之一。　　探索新的簡單和低成本的OFET加工工藝和制備技術(shù)，

2、對OFET從實驗室走向工業(yè)應(yīng)用起著關(guān)鍵性的作用.研究的熱點是場效應(yīng)遷移率、開關(guān)電流比和工作電壓?！　”卷椖康闹饕康氖菫橛袡C/聚合物電泵浦激光的研究，在材料和FET器件兩方面都做一些實質(zhì)性的前期工作。本論文主要作了器件方面的改進工作.　　采用旋涂工藝，制備以可溶性有機材料作為有源層的FET器件，以此作為本項目研究的最初基礎(chǔ)。測試器件的Id和Vd以及Vg的特性曲線，籍此來測量這些可溶性有機材料的場效應(yīng)遷移率；在這一系列材料中，選取遷移

3、率較高的材料，用來進一步優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，包括溝道長度、溝道的長/寬比、各功能層厚度等器件參數(shù)的選擇。其中，提高柵極絕緣層的介電常數(shù)，以及優(yōu)化絕緣層/聚合物有源層之間的界面質(zhì)量是提高場致遷移率的關(guān)鍵。對于前者，我們采用射頻磁控濺射工藝；對于后者，首次引入一種新的有機絕緣層材料來優(yōu)化絕緣層的表面?！　”疚奶接懥烁呓殡姵?shù)材料Ta2O5薄膜生長工藝對薄膜質(zhì)量的影響。Ta2O5薄膜具有高介電常數(shù)，低漏電流密度，可以大大降低有機薄膜晶體管的閾值電