摻雜多晶硅電阻值穩(wěn)定性的改善.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、復旦大學碩士學位論文摻雜多晶硅電阻值穩(wěn)定性的改善姓名：李鍇申請學位級別：碩士專業(yè)：材料工程指導教師：吳曉京20070430插圖目錄圖11夏普第八代液晶面板及龜山工廠圖12LCD液晶面板等效電路圖13多晶硅電容、電阻剖面圖圖l4多晶硅電容分布圖圖l5多晶硅電阻分布圖圖21化學氣相淀積的五個主要的步驟圖22當CVD反應(yīng)為表面反應(yīng)限制時，硅片表面擴教的情形反應(yīng)氣體分子從主氣流里經(jīng)邊界層往12圖23當CVD反應(yīng)為擴散限制時，反應(yīng)氣體分子從主氣流

2、里經(jīng)邊界層往硅片表面擴散的情形圖2_4淀積速率與溫度之間的關(guān)系曲線圖25硅烷濃度對多晶硅淀積速率的影響圖26LPCVD晶片傳送系統(tǒng)示意圖圖27LPCVD反應(yīng)室溫度控制系統(tǒng)邏輯圖圖28CASCADE模式原理圖圖29P1／11控制圖圖210D2控制圖圖211LPCVD壓力控制系統(tǒng)示意圖圖212LPCVD壓力測量系統(tǒng)圖圖213LPCVD反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)示意圖圖214LPCVD反應(yīng)過程圖圖31多晶硅電阻阻值分布圖圖32同一爐多晶硅控片電阻阻值分

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