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1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文T0.1標(biāo)準(zhǔn)下改善90nm3.3VNMOS熱載流子注入（HCI)效應(yīng)碩士研究生張斌學(xué)號(hào)1102102039導(dǎo)師:程秀蘭教授副導(dǎo)師張傳寶申請(qǐng)學(xué)位工程碩士學(xué)科集成電路工程所在單位:微電子學(xué)院答辯日期:2013年05授予學(xué)位單位：上海交通大學(xué)上海交通大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人邡望聲叻：所呈夂的學(xué)位論艾《1U1標(biāo)準(zhǔn)卜改芾9Ci?3JVNMos熱載沆子迕入men是木人也異師的梠Vi_n_m:跡行《究:.丨；a「所収得的成果
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