2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文55nm金屬硬掩膜一體化刻蝕工藝的研發(fā)和優(yōu)化碩士研究生:昂開渠學(xué)號:1142102057導(dǎo)師:王英副導(dǎo)師:江旻申請學(xué)位:工程碩士學(xué)科:集成電路工程所在單位:微電子學(xué)院答辯日期:2016年11月授予學(xué)位單位:上海交通大學(xué)上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文I55nm金屬硬掩膜一體化刻蝕工藝的研發(fā)和優(yōu)化摘要隨著超大規(guī)模集成電路(VLSI)的特征尺寸不斷縮小,為降低RC延遲的影響,后段集成普遍采用低介電介質(zhì)材料(Lowk材料)雙大

2、馬士革銅互聯(lián)工藝。在諸多的雙大馬士革結(jié)構(gòu)刻蝕工藝中,金屬硬掩膜一體化刻蝕工藝是迄今為止最為先進(jìn)的工藝。與傳統(tǒng)光刻膠掩膜工藝相比,金屬硬掩膜(氮化鈦TiN)的引入帶來了特征尺寸(CD)可控性強(qiáng)、工藝延展性大,介質(zhì)膜損傷小等優(yōu)點;但同時由于大量金屬成分的介入,也給工藝控制帶來了一系列負(fù)面影響。本文著重就55nm金屬硬掩膜一體化刻蝕工藝存在的TiN硬掩膜過刻蝕問題、TiN表面金屬副產(chǎn)物殘留問題、金屬副產(chǎn)物引起的刻蝕殘留問題展開課題研究并提出改

3、善方案。通過DOE方法找出高刻蝕選擇比的條件,解決了TiN硬掩膜過刻蝕問題和金屬硬掩膜表面殘留缺陷問題;通過優(yōu)化前處理步驟(Precondition)和在步驟轉(zhuǎn)換之間增加過渡步驟,有效解決了刻蝕殘留缺陷問題。開發(fā)出的新工藝條件:氧化膜的過刻蝕量~30%、SiCN的過刻蝕量~100%,符合規(guī)格;電性指標(biāo)驗證:工藝時間10%窗口驗證數(shù)據(jù)導(dǎo)線電阻測試及孔洞接觸電阻均在規(guī)格內(nèi)(導(dǎo)線電阻規(guī)格:0.1750.1ΩSQR;孔洞接觸電阻規(guī)格:2.81.

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