根管內感染防治新技術的相關研究.pdf

1、根管治療首先是去除根管內感染組織，然后對根管系統進行預備成型和消毒，最后再用生物惰性材料（如牙膠尖）和根管封閉劑對根管系統進行三維的嚴密充填。完全清除根管內感染對根管治療成功至關重要。目前，實現這一目標主要借助各種各樣的物理-化學根管消毒技術。然而，由于牙根解剖結構的復雜性，應用現有的根管消毒技術完全去除根管及牙本質小管內的細菌幾乎是不可能的。殘存在根管內的細菌有可能引起根管再感染的發(fā)生，從而導致根管治療的失敗。這就要求不斷發(fā)展更多更有

2、效的根管消毒技術。此外，作為根管治療的最后一個步驟，理想的根管封閉材料應該能對根管內殘存的細菌起到有效的殺滅作用或者抑制作用。因此，本課題的主要目的是探索和發(fā)展一些新的根管內感染防治技術，為提高根管治療成功率、維持根管治療遠期療效和預防根管治療失敗提供新的思路和技術理論支持。為此，我們進行了如下探索：
　　1.激光輔助根管消毒技術在體外離體牙根管感染模型中消毒作用的相關研究
　　首先，我們構建了糞腸球菌離體牙根管感染模型并在

3、此基礎上比較研究了【Nd:YAG激光，Er:YAG激光，Er,Cr:YSGG激光和光動力殺菌治療技術】等激光輔助根管消毒技術的消毒作用。結果證實以上幾種根管消毒技術都能在糞腸球菌離體牙根管感染模型中取得有效的消毒效果；其中又以 Er:YAG激光輔助次氯酸鈉（NaOCl）的效果最好。但是，同時我們也發(fā)現Er:YAG激光輔助NaOCl只能清除根管壁表面和侵入牙本質小管內200微米以內深度的糞腸球菌，而不能清除侵入牙本質小管內300微米以上的

4、細菌。因此，我們又對Er:YAG激光的工作參數進行了優(yōu)化研究，即比較了不同輸出功率（0.3、0.5和1.0W）和不同照射時間（20和30s）條件下Er:YAG激光輔助NaOCl根管消毒技術在體外離體牙根管感染模型中消毒作用。結果發(fā)現0.5W/30s是最優(yōu)化的參數組合；它可以清除侵入牙本質小管內500微米左右深度的糞腸球菌。
　　2.季銨鹽化二氧化硅生物玻璃納米微球抗菌根管封閉劑基質材料的合成及其相關特性研究
　　首先，我們使

5、用溶膠-凝膠法合成了二氧化硅生物玻璃納米微球（SBG-NS）并使用門舒特金反應法合成了四種不同側鏈烷基長度的甲基丙烯酸酯季銨鹽（QAMs）。然后使用硅烷偶聯劑（KH-570）對SBG-NS進行表面修飾，目的是將碳碳雙鍵引入SBG-NS表面以獲得中間產物SBG-NS/KH-570。最后，QAMs與SBG-NS/KH-570表面的KH-570發(fā)生聚合反應得到季銨鹽化二氧化硅生物玻璃納米微球抗菌根管封閉劑基質材料（SBG-QAPMs）。然后，

6、我們測定了（1）SBG-QAPMs的水溶性及離子釋放能力；（2）SBG-QAPMs對感染根管內常見頑固性致病菌的殺菌作用；（3）SBG-QAPMs的生物安全性（體外細胞毒性作用和體內炎癥反應作用）。結果發(fā)現，SBG-QAPMs在 PBS溶液中的穩(wěn)定性極好并可以釋放微量礦化相關離子（Si4+和Ca2+）、具備長期穩(wěn)定有效的殺菌作用和良好的生物安全性。
　　綜上所述，我們可以得出以下結論：（1）Er:YAG激光輔助NaOCl根管消毒技