90nm氮化物只讀存儲器件字線工藝中摻雜硅層缺陷的解決.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半導體制造技術的飛速發(fā)展使得器件線寬尺寸已經(jīng)從90nm發(fā)展到45nm，而32nm，28nm的技術也已經(jīng)開始研發(fā)和應用。中芯國際90nm氮化硅只讀存儲器是一種基于ONO（即氧化硅+氮化硅+氧化硅）結構的FLASH產(chǎn)品，是通過氮化硅層的俘獲電子來實現(xiàn)信號的存儲。2010年，氮化硅只讀存儲器產(chǎn)品開始在中芯國際正式量產(chǎn)，量產(chǎn)過程中，發(fā)現(xiàn)大量的缺陷，其中以爐管工藝制程中的字線摻雜多晶硅層缺陷最為明顯，并且造成產(chǎn)率良率下降，甚至大量產(chǎn)品報廢。而字線

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