90nm邏輯產(chǎn)品Peeling缺陷的解決方案.pdf

1、隨著計(jì)算機(jī)等家用電子產(chǎn)品技術(shù)的不斷進(jìn)步和更新?lián)Q代,我們的生活已經(jīng)進(jìn)入了電子時(shí)代。同時(shí)我們也正經(jīng)歷著一場(chǎng)新的技術(shù)革命,而這場(chǎng)技術(shù)革命的原動(dòng)力正是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷創(chuàng)新,推動(dòng)創(chuàng)新的就是半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造工藝的不斷提升。
　　 目前,國際上的半導(dǎo)體制造工藝已經(jīng)進(jìn)入了納米時(shí)代,世界級(jí)的制造企業(yè)已經(jīng)進(jìn)入了45nm工藝的大量量產(chǎn),中芯國際也與去年引進(jìn)了IBM公司的45nm工藝的技術(shù),預(yù)計(jì)今年年底可能投產(chǎn)。而目前中國國內(nèi)能大量量產(chǎn)的最先進(jìn)的工藝是

2、90nm,65nm工藝,又以90nm的工藝最為成熟。正如我們所知的,隨著半導(dǎo)體從微米時(shí)代進(jìn)入到亞微米時(shí)代,再到納米時(shí)代;晶園的尺寸也由原來的150毫米到200毫米,再到今天的300毫米。本文研究的就是在300毫米晶園上90納米邏輯制程上的缺陷問題。
　　 光刻工藝通過曝光的方法將掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到涂覆于硅片表面的光刻膠上,然后通過顯影、刻蝕等工藝將圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。光刻工藝直接決定了大規(guī)模集成電路的特征尺寸,是大規(guī)模集成電路制造

3、的關(guān)鍵工藝。另外,光刻工藝還有著另一個(gè)很大的作用就是是離子植入的基礎(chǔ),為離子植入制作阻擋層。微影工藝的好壞往往決定了集成電路的最終結(jié)果。
　　 微影要做的就是為蝕刻和離子植入“開窗”。在這個(gè)開窗區(qū)域,我們或蝕刻,做出我們需要的線寬;或植入離子,摻入我們需要的雜質(zhì),從而做出我們需要的器件和互連線。
　　 微影工藝有兩個(gè)關(guān)鍵:(一)做出符合目標(biāo)需要的窗口尺寸(二)盡量減少在工藝過程中產(chǎn)生的缺陷。
　　 第一點(diǎn),無需拗

4、述,這是微影的靈魂,更是其他工藝的基礎(chǔ)。但是第二點(diǎn)同樣重要,特別是在商業(yè)化生產(chǎn)的集成電路行業(yè),因?yàn)樗鶗?huì)影響芯片的最終良率,而良率的好壞又是產(chǎn)品是否擁有價(jià)格優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵,它也是考量fab工藝是否成熟可信的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。
　　 在我們300毫米90納米邏輯產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)了Peeling缺陷的問題,主要是在離子植入層,這些缺陷因?yàn)槭强蓜?dòng)的,他們可能會(huì)覆蓋在有源區(qū),從而影響該區(qū)域的離子植入的計(jì)量,最終體現(xiàn)在最終的產(chǎn)品上就是速度變