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1、目前,類石墨烯過渡族硫?qū)倩衔镆鹆巳祟悘V泛的研究興趣。二維材料MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等均具有層數(shù)依賴的帶隙結(jié)構(gòu),過渡族硫?qū)倩衔锏膸犊烧{(diào)控,大約從0.8eV到2.1eV,而且由于它們顯示出的雙極性電子輸運(yùn)特性,使其今后在電子學(xué)、光電子學(xué)器件方面得到重要應(yīng)用。這些材料有潛在的高靈敏的光電性能,但受到單原子層厚度的吸附性和不同帶隙的光譜選擇性的不同而不同。我們通過自己搭建的二溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),在Si/SiO2襯底上生
2、長(zhǎng) WS2、WSe2、WS2xSe2-2x(0<x<1)薄膜。通過改變生長(zhǎng)條件和原料,可以得到不同S、Se比例(n型摻p或p型摻n)的摻雜薄膜樣品,生長(zhǎng)完成后,得到的樣品可以通過光學(xué)顯微鏡觀察尺寸和形貌,利用AFM可以確定樣品的層數(shù)和表面平整度,還可以通過制備的透射樣品觀察到原子的排列平整度,從而判斷樣品的質(zhì)量,之后用拉曼光譜得到不同摻雜比例單層樣品的拉曼特征峰的偏移,粗略的看出S、Se摻雜的量不同,通過PL譜的峰位可算出S、Se的摻雜
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