單層WS2xSe2-2x化學氣相沉積.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、目前，類石墨烯過渡族硫屬化合物引起了人類廣泛的研究興趣。二維材料MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等均具有層數(shù)依賴的帶隙結構，過渡族硫屬化合物的帶隙可調控，大約從0.8eV到2.1eV，而且由于它們顯示出的雙極性電子輸運特性，使其今后在電子學、光電子學器件方面得到重要應用。這些材料有潛在的高靈敏的光電性能，但受到單原子層厚度的吸附性和不同帶隙的光譜選擇性的不同而不同。我們通過自己搭建的二溫區(qū)化學氣相沉積系統(tǒng)，在Si/SiO2襯底上生

2、長 WS2、WSe2、WS2xSe2-2x（0＜x＜1）薄膜。通過改變生長條件和原料，可以得到不同S、Se比例（n型摻p或p型摻n）的摻雜薄膜樣品，生長完成后，得到的樣品可以通過光學顯微鏡觀察尺寸和形貌，利用AFM可以確定樣品的層數(shù)和表面平整度，還可以通過制備的透射樣品觀察到原子的排列平整度，從而判斷樣品的質量，之后用拉曼光譜得到不同摻雜比例單層樣品的拉曼特征峰的偏移，粗略的看出S、Se摻雜的量不同，通過PL譜的峰位可算出S、Se的摻雜

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