基于量子阱-量子點(diǎn)共振能量轉(zhuǎn)移機(jī)制的高效率白光LED的研究.pdf

1、隨著節(jié)能意識(shí)和需求的逐步提高，白光LED固態(tài)照明在全世界都得到廣泛的關(guān)注和發(fā)展。目前，白光LED主要采用高效率藍(lán)紫光LED激發(fā)熒光粉轉(zhuǎn)化為黃、綠和紅光混合得到白光，然而基于熒光粉轉(zhuǎn)化的白光LED存在著易老化、轉(zhuǎn)化效率低、色溫偏低等諸多缺點(diǎn)。而采用量子點(diǎn)替代熒光粉作為下轉(zhuǎn)換材料具有轉(zhuǎn)換效率高、穩(wěn)定性和顯色性好等優(yōu)點(diǎn)。
　　本論文首先采用CdSe/ZnS核殼結(jié)構(gòu)綠、黃、紅光量子點(diǎn)及YAG黃色熒光粉作為光轉(zhuǎn)換材料，以InGaN藍(lán)光LED

2、芯片作為激發(fā)光源制備五種不同結(jié)構(gòu)的白光LED，分別為直接熒光粉涂敷;綠、黃、紅光量子點(diǎn)混合涂敷;綠、紅量子點(diǎn)加黃色熒光粉混合涂敷;量子點(diǎn)在熒光粉之上涂敷以及熒光粉在量子點(diǎn)之上涂敷的白光LED。經(jīng)過測(cè)試分析和對(duì)比，得出在量子點(diǎn)涂敷在熒光粉之上同時(shí)綠色量子點(diǎn)∶黃色熒光粉∶紅色量子點(diǎn)的質(zhì)量配比定為5∶2∶1的條件下制備的白光LED器件的顯色指數(shù)達(dá)到了88，光效為113.5lm/W，是相對(duì)最優(yōu)化的表面涂敷型白光LED的結(jié)構(gòu)。
　　其次，本

3、論文在研究InGaN量子阱和CdSe/(Zn，Cd)S量子點(diǎn)之間的共振能量轉(zhuǎn)移機(jī)理的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)并制備了納米孔陣列型量子點(diǎn)白光LED。采用Lloyd干涉曝光技術(shù)和ICP干法刻蝕技術(shù)在GaN基藍(lán)光LED外延片表面制備了孔徑和周期均為250nm的納米孔陣并在其中旋涂不同濃度和配比的CdSe/ZnS量子點(diǎn)溶液值得納米孔陣列型量子點(diǎn)白光LED。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:當(dāng)量子點(diǎn)比例為綠∶黃∶紅=5∶2∶1的最佳配比時(shí)，制備的白光LED最佳光效為93lm/W