基于ZnO做電子傳輸層的白光量子點LED研究.pdf

1、膠體量子點(Colloidal Quantum Dots，簡稱QDs)具有熒光效率高、半波長窄、可隨尺寸調(diào)整波長等優(yōu)點，有望成為下一代LED器件的核心發(fā)光材料。目前，國內(nèi)外對基于電致發(fā)光的量子點器件(QD-LEDs)研究剛剛起步，對白光器件的研究比較少。
　　本論文采用CdSe/ZnS紅光、CdSe/ZnS綠光量子點作為發(fā)光層，制備了結(jié)構(gòu)為ITO/TPD∶PVK/QDs+ PEDOT/ZnO/LiF/Al的量子點發(fā)光器件，其PED

2、OT∶PSS作為兩層量子點之間的隔離層，ZnO作為電子傳輸層。進而對器件的電致發(fā)光性能做了測試。主要工作如下：
　　首先，研究了ITO表面處理方法不同時對器件性能的影響。實驗發(fā)現(xiàn)經(jīng)體積比為5∶1∶1的去離子水、氨水、雙氧水的混合溶液浸泡后，可提高ITO的表面功函數(shù)，降低器件的開啟電壓。實驗中經(jīng)處理后的器件開啟電壓減少了22％。
　　其次，利用溶膠凝膠法制備了ZnO膠體并將其作為器件的電子傳輸層，采用全旋涂的方式制備了多層量子

3、點白光LED，其中發(fā)光層采用不同顏色量子點層之間添加隔離層的結(jié)構(gòu)，避免了各層量子點之間的互相干擾。探討了TPD與PVK的質(zhì)量比以及量子點濃度等工藝參數(shù)對器件性能的影響。研究結(jié)果顯示當TPD和PVK的質(zhì)量比為5∶1，量子點濃度為1.0mg/ml，旋涂ZnO膠體做電子傳輸層時制備的器件發(fā)光效果最好，在電壓15V時發(fā)光亮度達到了1500cd/m2，色坐標為(0.3819，0.4025)，顯色指數(shù)93.5。在此基礎(chǔ)上，進一步利用濕法刻蝕使器件發(fā)

4、光部分圖形化，實現(xiàn)了特定字母發(fā)光的效果。
　　最后，探討了碳納米管替代ITO作為器件陽極的可行性。采用旋涂和真空蒸鍍工藝制備了結(jié)構(gòu)為CNT-TCFs/TPD∶PVK/QDs/Alq3/LiF/Al的器件，通過調(diào)節(jié)量子點層的厚度可以出射自光。實驗發(fā)現(xiàn)，器件的電流密度會隨著量子點層的厚度的減小而增大，發(fā)光亮度也隨之增加。同時，CNT-TCFs的表面經(jīng)過TPD∶PVK修飾后，大大的改善了其表面平整性，從而提高了器件發(fā)光性能。當TPD與P